恩智浦半导体
HEF4053B
三重单刀双掷模拟开关
t
W
V
I
负
脉冲
0V
90 %
V
M
10 %
t
f
t
r
V
I
积极
脉冲
0V
10 %
90 %
V
M
t
W
V
DD
V
DD
V
I
脉冲
发电机
VI
VO
RL
S1
V
M
t
r
t
f
V
M
DUT
RT
CL
开放
V
SS
V
EE
001aaj903
测试数据列于
表10 。
定义：
DUT =被测设备。
R
T
=端接电阻应等于输出阻抗Z
o
的脉冲发生器。
C
L
=负载电容包括测试夹具和探头。
R
L
=负载电阻。
用于测量开关时间图15.测试电路
表10 。
输入
NYN ， NZ
锡和E
t
r
, t
f
V
M
0.5V
DD
V
DD
或V
EE
V
DD
或V
SS
20纳秒
[1]
测试数据
负载
C
L
50 pF的
R
L
10 k
S1位置
t
PHL[1]
t
PLH
t
PZH
, t
PHZ
t
PZL
, t
PLZ
其他
V
EE
V
DD
V
EE
V
DD
或V
EE
V
EE
对于NYN到新西兰或新西兰到NYN传播延迟使用V
EE
。对于锡以NYN或新西兰的传播延迟使用V
DD
.
HEF4053B
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产品数据表
启10 - 2011年11月17日
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