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CYStech电子股份有限公司
通用NPN外延平面晶体管
规格。编号: C202S6R
发行日期: 2003年6月11日
修订日期: 2006年1月19日
页页次: 1/5
(双晶体管)
HBN2412S6R
特点
两个BTC2412芯片采用SOT- 363R包。
安装可能与SOT -323自动装配机器。
晶体管元件是独立的,从而消除干扰。
安装成本和面积可减少一半。
较低的玉米棒。典型值。 COB = 2.0pF
补充HBP1037S6R
无铅封装
等效电路
HBN2412S6R
概要
SOT-363R
Tr1
Tr2
以下特征同时适用于Tr1和Tr2
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
功耗
结温
储存温度
注:每件为150mW不得超过
.
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
Pd
Tj
TSTG
范围
60
40
6
200
200(total)
150
-55~+150
(注)
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
HBN2412S6R
CYStek产品规格
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