MC33567
意义：
如果负载从调节器，该电压位于远
掉在连接电缆或跟踪可能成为
显著。该MC33567提供了严格的电压负荷
监管与使用它的Sense不同的负载电流
功能。如图5所示， MC33567感测
电压的负载，并提供反馈到调节器。
稳压器电压然后被调节以补偿
负载变化。因此建议将SENSE连接
被放置在尽可能靠近负载。另外，使用单独的
追踪到的N沟道MOSFET的源极连接到
加载以避免干扰或联轴器与SENSE
信号。使用SENSE功能需要正确的
设备的操作。如果SENSE端子没有连接到
负载时，输出将进入打嗝模式。
电流进入检测引脚由下式给出
公式：
V
ISENSE
+
100
mA
)
OUT
1.8千瓦
VIN
所需的RDS（on ）可通过以下公式来计算
如下：
RDS （ ON）
v
0.5
VIN
*
VOUT
ILOAD
其中：
VIN =输入电压，通常为3.3 V
VOUT =稳压器输出电压
（ 1.2 V， 1.515 V， 1.818 V， 2.3 V或2.525 V）
ILOAD负载电流
=
0.5 A的安全边际加入账户的RDS（on ）
的变化在工作温度范围内。
稳定性：
评估稳压器，驱动器和负载系统后
利用控制理论则表明输出
电容器中，外部驱动器增益和误差放大器的增益
带宽起到对系统的稳定性有重要作用。对
确保系统的稳定性设计指导下面的一组
应为：
Ci
+
CGS
)
CGD
w
f
+
1
慈·罗
DRV
w
p
+
反馈
to
调节器
100
mA
SENSE
1.8千瓦
+
VOUT
RL
ISENSE
1
1
)
1
*
w
1
w
f
1
a
20 · 1
)
(3 ·
w
p)
w
(3 ·
w
)
· g1
v
Rs
v
w
P · G1
m
a
m
1
1
联合·卢比
w
5 ·
w
)
w
a
p
图5.电压调节应用感知功能
N沟道MOSFET的选择：
该
MC33567
是
特征
运用
安森美半导体的MTD3055VL N沟道MOSFET 。
其他的MOSFET可以与MC33567 ，只要使用
在满足动力性和稳定性的要求。
电源：
与导通电阻低漏源等MOSFET
（的RDS（on ） ）将确保输出电压不会大幅
由于MOSFET两端的过大的电压降减小。
其中：
w
F =驱动极点频率
CI =输入，当设备反向传输电容
已关闭
RO =稳压器输出电阻（ 50
W
为MC33567 ）
w
P =辅助杆的开环
w
A =误差放大器的增益带宽
w
1 =误差放大器第二极（组
w
1 =
w
一，如果未指定）
卢比=输出电容的ESR
GM =最大驱动器跨导增益
合作=输出电容
T为总回路响应时间
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