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GS74116TP/J/U
写周期3 ： UB ， LB控制
TWC
地址
TAW
OE
TAS
CE
TBW
UB ， LB
TWP
WE
TDW
DATA IN
数据输出
TDH
数据有效
TCW
tWR1
高阻抗
冯： 2.02 3/2000
9/14
1999 ，千兆半导体公司
N
规格援引如有更改，恕不另行通知。对于最新的文档，请参见http://www.gsitechnology.com 。
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