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飞思卡尔半导体公司
技术参数
文档编号： AFT09MS031N
第0版， 5/2012
RF功率LDMOS晶体管
高耐用性N - 通道
增强 - 模式横向的MOSFET
专为移动2 - 双向无线电应用与频率
764到941兆赫。高增益，耐用性和宽带性能
这些设备使它们非常适用于大型 - 信号，共源放大器
应用在移动无线电设备。
窄带性能
（ 13.6伏，我
DQ
= 500毫安，T
A
= 25 ° C， CW）
频率
（兆赫）
764
870
941
G
ps
（ dB）的
18.0
17.2
15.7
η
D
(%)
74.1
71.0
68.1
P1dB
(W)
32
31
31
TO -
-270-
-2
塑料
AFT09MS031NR1
AFT09MS031NR1
AFT09MS031GNR1
764-
-941兆赫， 31 W， 13.6 V
宽带
RF功率LDMOS晶体管
800 MHz的宽带性能
（ 13.6伏，我
DQ
= 100毫安，吨
A
= 25 ° C， CW）
频率
（兆赫）
760
820
870
G
ps
（ dB）的
15.7
15.7
15.5
η
D
(%)
62.0
63.0
61.0
P1dB
(W)
44
37
36
负载失配/耐用性
频率
（兆赫）
870
信号
TYPE
CW
VSWR
>65 ： 1 ，在所有
相位角
P
OUT
(W)
54
（ 3分贝高速）
TEST
电压
17
结果
没有设备
降解
TO -
-270- GULL
-2
塑料
AFT09MS031GNR1
特点
特点是操作从764到941兆赫
无与伦比的输入和输出允许频率范围宽利用率
集成ESD保护
综合稳定性增强
宽带 - 整个波段全功率（ 764-870兆赫）
225℃有能力塑料包装
卓越的热性能
高线性度为： TETRA ， SSB ， LTE
成本 - 效益超过 - 模压塑料封装
在磁带和卷轴。 R1后缀= 500单位，有24毫米磁带宽度， 13英寸的卷轴。
典型应用
输出级的800兆赫频段中继移动通信
输出级的900兆赫频段集群移动通信
门
漏
（ TOP VIEW ）
注意：该包的背面是
源极端子的晶体管。
图1.引脚连接
飞思卡尔半导体公司， 2012年版权所有。
AFT09MS031NR1 AFT09MS031GNR1
1
RF设备数据
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