GI820通GI828

威世通用半导体

400

10

350

瞬时反向电流（ μA ）

山顶前进

浪涌

电流（A ）

8.3毫秒

单身

半

正弦波

T

J

= 100 °C

300

T

A

= 25 °C

1

250

T

J

= 50 °C

0.1

200

T

J

= 125 °C

T

J

= 25 °C

150

100

1

10

100

0.01

0

20

40

60

80

100

循环次数在60赫兹

1999额定峰值反向电压百分比（％ ）

图。 3 - 最大非重复性峰值正向浪涌电流

图。 5 - 典型的反向特性

100

25

L =导线长度

正向电流（A ）

R

θJL

热阻

从结点到铅（ ° C / W）

1.8

2.0

20

10

T

J

= 25 °C

脉冲宽度= 300微秒

1 ％占空比

15

10

1

5

0.1

0.6

0

0.8

1.0

1.2

1.4

1.6

0

0.1

0.2

0.3

0.4

0.5

0.6

0.7

0.8

0.9

1.0

正向电压（ V）

等于引线长度到散热器（英寸）

图。 4 - 典型正向特性

图。 6 - 典型热阻

包装外形尺寸

以英寸（毫米）

P600

1.0 (25.4)

分钟。

0.360 (9.1)

0.340 (8.6)

0.360 (9.1)

0.340 (8.6)

0.052 (1.32)

0.048 (1.22)

DIA 。

1.0 (25.4)

分钟。

文档编号： 88629

修订： 26 - OCT- 09

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