SOT223 NPN硅平面介质
功率高增益晶体管
第3期 - 1995年10月
特点
*高V
首席执行官
/非常低饱和电压
400在I *增益
C
=200mA
应用
*达林顿更换
*继电器/螺线管驱动器
PARTMARKING详细信息 -
FZT694B
FZT694B
C
E
C
B
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CM
I
C
P
合计
T
j
:T
英镑
价值
120
120
5
2
1
2
-55到+150
马克斯。
单位
V
V
V
0.1
0.1
0.25
0.5
0.9
0.9
A
A
绝对最大额定值。
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
峰值脉冲电流
连续集电极电流
功率耗散T
AMB
=25°C
工作和存储温度范围
参数
击穿电压
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极 - 发射极
饱和电压
基射
饱和电压
基射
导通电压
静态前进
电流传输
比
跃迁频率
输入电容
输出电容
开关时间
I
CBO
I
EBO
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
h
FE
f
T
C
IBO
C
敖包
t
on
t
关闭
500
400
150
130
200
9
80
2900
兆赫
pF
pF
ns
ns
分钟。
120
120
5
单位
V
V
V
A
A
W
°C
电气特性（在T
AMB
= 25°C)
典型值。
条件。
I
C
=100
A
I
C
=10mA*
I
E
=100
A
V
CB
=100V
V
EB
=4V
I
C
= 100mA时我
B
=0.5mA*
I
C
= 400毫安，我
B
=5mA*
I
C
= 1A ，我
B
=10mA*
I
C
= 1A ，V
CE
=2V*
I
C
= 100mA时V
CE
=2V
*
I
C
=的200mA， V
CE
=2V*
I
C
= 400毫安，V
CE
=2V*
I
C
= 50mA时V
CE
=5V
f=50MHz
V
EB
= 0.5V ， F = 1MHz的
V
CB
= 10V ， F = 1MHz的
I
C
= 100mA时我
B!
=10mA
I
B2
= 10毫安，V
CC
=50V
V
V
V
V
*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300
秒。占空比
≤
2%
辣妹参数数据可应要求提供此设备
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