IDT72T1845 / 55 /65 /八十五分之七十五/一百〇五分之九十五/一百二十五分之一百一十五2.5V TeraSync 18位/ 9位的FIFO

2Kx18 / 4Kx9 ， 4Kx18 /

8Kx9 ， 8Kx18 / 16Kx9 ， 16Kx18 / 32Kx9 ， 32Kx18 / 64Kx9 ， 64Kx18 / 128Kx9 ， 128Kx18 / 256Kx9 ， 256Kx18 / 512Kx9 ， 512Kx18 / 1Mx9

商业和工业

温度范围

信号说明

输入：

DATA IN （D

0

- D

n

)

对于18位宽的数据的数据输入端（D

0

- D

17

）或数据输入， 9位宽的数据

(D

0

- D

8

).

控制：

主复位

(

太太

)

主复位完成时的

太太

输入取为低电平

状态。此操作设置在内部读和写指针到第一位置

RAM阵列的。

PAE

将变低，

PAF

将变为高电平，并

HF

将为高。

如果FWFT / SI为低电平时主复位则IDT标准模式，

随着

EF

和

FF

被选中。

EF

变低并

FF

将变为高电平。如果

FWFT / SI为高电平，则第一个字告吹模式（ FWFT ） ，以及

IR

和

或者，

被选中。

OR

将变高，并

IR

将变低。

所有的控制设置，如OW ， IW ，

BE ，

RM ， PFM和IP中定义

主复位周期。

在主复位时，输出寄存器初始化为全零。大师

上电后复位是必需的，前一个写操作才能进行。

太太

是异步的。

见图9 ，

主复位时序，

的相关的时序图。

部分复位（ PRS ）

局部复位完成时的

PRS

输入取为低电平

状态。由于在主复位，内部读写指针的情况下，

被设置为在RAM阵列的第一位置，

PAE

变为低电平时，

PAF

变为高电平时，

和

HF

变高。

无论模式被激活，在部分复位， IDT标准模式时

或者第一个字告吹，该模式将保持选中状态。如果IDT的标准

模式有效时，则

FF

将变高，并

EF

将变低。如果第一个字

落空模式被激活，则

OR

将变为高电平，并

IR

将变低。

以下部分复位，在偏移寄存器中的所有值保持

不变。编程方法（并行或串行）当前处于活动状态

还保留了部分复位的时间。输出寄存器被初始化为所有

零。

PRS

是异步的。

局部复位是期间复位器件非常有用

操作中，当重新编程可编程标志的偏移设置可能不

方便。

参见图10 ，

部分复位时序，

的相关的时序图。

异步写入（ ASYW ）

写端口可以为同步或异步配置

操作模式。如果在主复位的

ASYW

输入为低时，则

的写端口的异步操作将被选中。在Asynchro-

的写端口的WCLK输入变为WR输入知性的操作，这是

异步写选通输入。在WR的上升沿将数据写入本

在DN输入到FIFO。 （文必须使用写时，被捆绑LOW

在异步模式下口） 。

当写端口配置为异步操作的满标志

（ FF），工作在异步方式，即，满标记将被更新

基于在这两个写操作和读操作。请注意，如果异步

模式被选择时， FWFT是不容许的。参见图30，31， 34和

35相关的时序和操作波形。

异步读取（ ASYR ）

读端口可以同步或异步配置

操作模式。如果在主复位

ASYR

输入为低时，则

读端口的异步操作将被选中。在Asynchro-

读端口的RCLK输入变为RD输入的理性的操作，这是

异步读选通输入。在RD的上升沿将读出的数据

通过输出寄存器和尺寸Qn端口FIFO中。 （REN必须在低绑

读端口的异步操作） 。

该

OE

输入提供QN输出总线的三态控制，在

异步方式。 （ RCS ，提供在读端口的三态控制

同步模式）。

当读端口配置为异步操作的设备

必须在IDT的标准模式下操作， FWFT模式是不允许的，如果

读端口是异步的。空标志（ EF）工作在异步

方式，即，空标志将根据两者的读操作更新

和写操作。参见图32 ，33，34和35，用于相应的定时

和运营波形。

转发（ RT ）

的重传（RT）下输入用于结合对MARK输入

它们一起提供由先前的数据从FIFO读出的手段

可重读任意次数。如果重发的操作已经选择了

（即对MARK输入为HIGH时） ，在RCLK而上升边缘

RT

是低复位

读出指针返回到经由MARK输入用户设置的存储位置。

如果IDT的标准模式已被选择的

EF

标志将变低并保持

LOW的时间

RT

保持低电平。

RT

可以保持低的任何数量

RCLK的周期，读出指针被复位到所述标记的位置。下一个

上升RCLK的上升沿后

RT

返回高电平时，会引起

EF

变为高电平，

允许读操作要在FIFO中进行的。下一次读操作

会从“标记”内存位置访问数据。

后续的重传操作可被执行，每次读取

指针回到“标记”的位置。参见图18 ，

马克转播

（ IDT标准模式）

的相关的时序图。

如果FWFT模式已被选择的

OR

标志将变为高电平，并保持高电平

其时该

RT

保持低电平。

RT

可以保持低的任何数量的RCLK

周期，读出指针被复位到“标记”的位置。接下来RCLK

之后上升沿

RT

返回高电平时，会引起

OR

变低，并因

FWFT操作中，被标记的存储单元的内容将被装载到

输出寄存器，被要求对所有后续数据的读取操作

读取。

后续的重传操作可以在每次执行读取

指针回到“标记”的位置。参见图19 ，

马克转播

（ FWFT模式）

的相关的时序图。

标志

对MARK输入用于选择操作的重传方式。一个RCLK

上升沿而马克是HIGH将迎来数据的存储位置

在输出寄存器当前存在，该设备也将被放入

重发模式。请注意，对于IDT72T1845 / 72T1855 / 72T1865 / 72T1875 /

72T1885 / 72T1895 ，必须有一个最小的32字节的数据的

写指针和读指针时， MARK是断言，对于IDT72T18105 /

72T18115必须有一个最小的128字节和用于IDT72T18125

必须有一个最小的256个字节。请记住， 2 （ X9）字节= 1 （ X18 ）字。

（32字节= 16字= 8长字） 。另外，一旦对MARK被设置，则写

指针将不会递增过去的“标记”的位置，直至标记

拉高。这可以防止重传数据的“覆盖” 。

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