三菱N沟道功率MOSFET
FS30ASJ-03
高速开关使用
导通电压VS.
栅源电压
（典型值）
通态电阻VS.
漏电流
（典型值）
5.0
漏极 - 源极导通状态
电阻R
DS （ ON）
(m)
TC = 25°C
脉冲测试
50
TC = 25°C
脉冲测试
V
GS
= 4V
漏极 - 源极导通状态
电压V
DS （ ON）
(V)
4.0
40
3.0
30
10V
2.0
I
D
= 50A
20
1.0
30A
10A
10
0
0
0
2
4
6
8
10
3 5 7 10
0
2 3 5 7 10
1
2 3 5 7 10
2
2 3
漏电流I
D
(A)
栅极 - 源极电压V
GS
(V)
传输特性
（典型值）
正向转移导纳
VS.DRAIN CURRENT
（典型值）
10
2
7
5
4
3
2
10
1
7
5
4
3
2
V
DS
= 5V
脉冲测试
40
漏电流I
D
(A)
正向传递
导纳
y
fs
(S)
32
TC = 25°C
V
DS
= 10V
脉冲测试
T
C
= 25°C 75°C
125°C
24
16
8
0
0
2
4
6
8
10
10
0
0
10
2 3 4 5 7 10
1
2 3 4 5 7 10
2
栅极 - 源极电压V
GS
(V)
漏电流I
D
(A)
电容与
漏源电压
（典型值）
开关特性
（典型值）
2
10
4
7
5
3
2
10
3
7
5
3
2
10
2
7
5
3
2
西塞
切换时间（纳秒）
TCH = 25°C
F = 1MH
Z
V
GS
= 0V
电容
西塞，科斯，的Crss （PF ）
10
2
7
5
4
3
2
10
1
7
5
4
3
2
t
D（关闭）
t
f
t
r
t
D（上）
科斯
CRSS
3 5 710
0
2 3 5 7 10
1
2 3 5 7 10
2
2 3
漏源电压V
DS
(V)
10
0
0
10
TCH = 25°C
V
DD
= 15V
V
GS
= 10V
R
根
= R
GS
= 50
2 3 4 5 7 10
1
2 3 4 5 7 10
2
漏电流I
D
(A)
Feb.1999
