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128MB ： X4，X8 ， X16
DDR SDRAM
DC电气特性和操作条件
（25℃ <牛逼
A
< + 70°C ; V
DD
= +2.5V ±0.2V, V
DD
Q = + 2.5V ± 0.2V ）
参数/条件
电源电压
I / O电源电压
I / O参考电压
I / O终端电压（系统）
输入高电平（逻辑1 ）电压
输入低电平（逻辑0 ）电压
时钟输入电压电平; CK和CK ＃
时钟输入差分电压; CK和CK ＃
时钟输入交叉点电压; CK和CK ＃
输入漏电流
任何输入，
0V ＆ LT ; V
IN
＆ LT ; V
DD
, V
REF
脚0V < VIN < 1.35V
（所有其它引脚不被测= 0V ）
输出漏电流
（DQS被禁用;
0V ＆ LT ; V
OUT
＆ LT ; V
DD
Q)
输出电平：
完整的驱动器选项 - X4，X8 ， X16
大电流（V
OUT
= V
DD
Q- 0.373V ，最小V
REF
，最小
V
TT
)
低电流（V
OUT
= 0.373V ，最大V
REF
，最大V
TT
)
输出电平：降低驱动器选项 - X16仅
大电流（V
OUT
= V
DD
Q- 0.763V ，最小V
REF
，最小
V
TT
)
低电流（V
OUT
= 0.763V ，最大V
REF
，最大V
TT
)
符号
V
DD
V
DD
Q
民
2.3
2.3
0.49 x垂直
DDQ
V
REF
– 0.04
V
REF
+ 0.15
-0.3
-0.3
0.36
1.15
-2
最大
2.7
2.7
0.51 x垂直
DDQ
V
REF
– 0.04
V
DD
+ 0.3
V
REF
– 0.15
V
DDQ
+ 0.3
V
DDQ
+ 0.6
1.35
2
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
V
μA
笔记
41
41, 44
6, 44
7, 44
28
28
8
9
V
REF
V
TT
V
IH
（DC）的
V
IL
（DC）的
V
IN
V
ID
V
IX
I
I
I
OZ
I
OH
I
OL
-7
-16.8
16.8
7
--
--
μA
mA
mA
37, 39
I
高级代表办事处
I
OLR
-9
9
--
--
mA
mA
38, 39
PDF ： 09005aef80505d1b /来源： 09005aef80469e44
128MB ： X4，X8 ， X16 DDR SDRAM
冯： 2004年11月23日
3
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