FMV10N60E
漏源导通电阻
RDS （ ON） = F （ TCH） ： ID = 5A ， VGS = 10V
FUJI功率MOSFET
2.5
6
栅极阈值电压与总胆固醇
VGS （次） = F（总胆固醇） ： VDS = VGS ，ID = 250
A
2.0
5
RDS （上）
Ω
]
1.5
马克斯。
1.0
典型值。
VGS （ TH） [V]
4
马克斯。
3
典型值。
2
分钟。
0.5
1
0.0
-50
-25
0
25
50
TCH [
°
C]
75
100
125
150
0
-50
-25
0
25
50
75
TCH [
°
C]
100
125
150
典型栅极电荷特性
VGS = F量（Qg ） ： ID = 10A ，总胆固醇= 25
°
C
20
18
10
16
14
12
VGS电压[V]的
4
典型电容
C = F（ VDS ） ： VGS = 0V ， F = 1MHz的
VCC = 120V
300V
C [ pF的]
西塞
10
3
480V
10
8
6
4
2
0
0
10
20
30
40
QG [ NC ]
50
60
70
80
10
2
科斯
10
1
CRSS
10
0
10
-2
10
-1
10
VDS [V]的
0
10
1
10
2
100
反向二极管的典型正向特性
IF = F（ VSD） ：80
的脉动测试，总胆固醇= 25
°
C
10
3
典型的开关特性与ID
T = F（ ID ） ： VCC = 300V ， VGS = 10V ， RG = 15
Ω
10
10
2
TD （关闭）
tf
IF [ A]
T [ NS ]
1
TD （上）
10
1
0.1
tr
0.01
0.00
0.25
0.50
0.75
VSD [V]的
1.00
1.25
1.50
10
0
10
-1
10
0
10
1
10
2
3
