FMV06N60E
允许功耗
（D）= F（ Tc）的
安全工作区
I
D
= F（V
DS
）：占空比= 0 （单脉冲） ，TC = 25
°
c
FUJI功率MOSFET
40
35
30
25
PD [ W]
t=
1
s
10
1
10
s
100
s
10
0
ID [ A]
20
15
10
5
0
0
25
50
75
TC [
°
C]
100
125
150
1ms
10
-1
10
-2
功耗瓦特aveform ：
方波
P
D
t
特区
10
-3
10
0
10
1
VDS [V]的
10
2
10
3
典型的输出特性
ID = F （VDS） ：80
的脉动测试，总胆固醇= 25
°
C
14
10
典型的传输特性
ID = F（ VGS） ：80
脉搏测试， VDS = 25V ，总胆固醇= 25
°
C
12
10
ID [ A]
8
6
4
2
0
0
4
8
12
VDS [V]的
16
20
24
ID [ A]
1
0.1
0
1
2
3
4
5
VGS电压[V]的
6
7
8
9
10
100
典型的跨导
GFS = F （ ID ） ： 80
脉搏测试， VDS = 25V ，总胆固醇= 25
°
C
2.8
2.6
2.4
典型的漏源导通电阻
RDS （ ON） = F （ ID ） ： 80
的脉动测试，总胆固醇= 25
°
C
VGS=4.5V
5.0V
10
RDS （上）
Ω
]
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
5.5V 6.0V
10V
GFS [S]
1
0.1
0.1
1
ID [ A]
10
100
0.8
0
2
4
6
ID [ A]
8
10
12
14
2
