FMI16N50E
漏源导通电阻
RDS （ ON） = F （ TCH） ： ID = 8A ， VGS = 10V
FUJI功率MOSFET
1.2
1.1
1.0
0.9
6
栅极阈值电压与总胆固醇
VGS （次） = F（总胆固醇） ： VDS = VGS ，ID = 250
A
5
RDS （上）
Ω
]
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
-50
-25
0
25
50
TCH [
°
C]
75
100
125
150
马克斯。
典型值。
VGS （ TH） [V]
0.8
4
马克斯。
3
典型值。
分钟。
2
1
0
-50
-25
0
25
50
75
TCH [
°
C]
100
125
150
典型栅极电荷特性
VGS = F量（Qg ） ： ID = 16A ，总胆固醇= 25
°
C
14
10
VCC = 100V
250V
400V
4
典型电容
C = F（ VDS ） ： VGS = 0V ， F = 1MHz的
12
西塞
10
3
10
VGS电压[V]的
C [ pF的]
8
10
2
6
科斯
4
10
1
CRSS
2
0
0
20
40
QG [ NC ]
60
80
100
10
0
10
0
10
VDS [V]的
1
10
2
10
3
100
反向二极管的典型正向特性
IF = F（ VSD） ：80
的脉动测试，总胆固醇= 25
°
C
10
3
典型的开关特性与ID
T = F（ ID ） ： VCC = 300V ， VGS = 10V ， RG = 10 Ω
TD （关闭）
10
10
2
tf
IF [ A]
T [ NS ]
TD （上）
1
10
1
tr
0.1
0.00
0.25
0.50
0.75
1.00
VSD [V]的
1.25
1.50
1.75
2.00
10
0
10
-1
10
0
10
ID [ A]
1
10
2
3
