FMI05N50E
允许功耗
（D）= F（ Tc）的
安全工作区
I
D
= F（V
DS
）：占空比= 0 （单脉冲） ，TC = 25
°
c
10
2
FUJI功率MOSFET
70
60
10
50
10
0
1
t=
1
s
10
s
100
s
40
PD [ W]
ID [ A]
30
1ms
10
-1
20
10
10
-2
功率损耗波形：
方波
P
D
t
DC
0
0
25
50
75
TC [
°
C]
100
125
150
10
-3
10
-1
10
0
10
VDS [V]的
1
10
2
10
3
典型的输出特性
ID = F （VDS） ：80
的脉动测试，总胆固醇= 25
°
C
12
10
1
典型的传输特性
ID = F（ VGS） ：80
脉搏测试， VDS = 25V ，总胆固醇= 25
°
C
10
10V
6.0V
8
ID [ A]
ID [ A]
10
0
10
-1
6
5.0V
4
10
-2
2
4.5V
VGS=4.0V
10
-3
0
0
4
8
12
VDS [V]的
16
20
24
10
-4
0
1
2
3
4
5
VGS电压[V]的
6
7
8
9
10
100
典型的跨导
GFS = F （ ID ） ： 80
脉搏测试， VDS = 25V ，总胆固醇= 25
°
C
3.5
典型的漏源导通电阻
RDS （ ON） = F （ ID ） ： 80
的脉动测试，总胆固醇= 25
°
C
VGS=4.0V
4.5V
5V
3.0
10
RDS （上）
Ω
]
2.5
GFS [S]
1
6V
10V
2.0
0.1
1.5
0.01
0.01
1.0
0.1
1
ID [ A]
10
100
0
2
4
ID [ A]
6
8
10
2
