
新产品
FGP30B通FGP30D
威世通用半导体
100
1000
T
J
= 175 °C
正向电流(A )
10
T
J
= 150 °C
T
J
= 125 °C
T
J
= 25 °C
结电容(pF )
100
1
10
0.1
0.01
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1
0.1
1
10
100
正向电压( V)
反向电压( V)
图。 3 - 典型的正向特性
图。 5 - 典型结电容
100
100
T
J
= 175 °C
10
T
J
= 150 °C
T
J
= 125 °C
1
瞬态热阻抗( ℃/ W)
80
100
瞬时反向漏
电流( μA )
10
0.1
T
J
= 25 °C
0.01
0.001
20
40
60
1
0.01
0.1
1
10
100
1999额定峰值反向电压百分比(% )
吨 - 脉冲持续时间( S)
图。 4 - 典型的反向漏电特性
图。 6 - 典型的瞬态热阻抗
包装外形尺寸
以英寸(毫米)
DO- 204AC (DO- 15)的
0.034 (0.86)
0.028 (0.71)
DIA 。
1.0 (25.4)
分钟。
0.300 (7.6)
0.230 (5.8)
0.140 (3.6)
0.104 (2.6)
DIA 。
1.0 (25.4)
分钟。
文档编号: 88878
修订: 15 -MAR- 11
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3
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