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数据表
输出电容的选择
输出电容的选择会影响输出纹波
电压调节器的环路动态特性。
在负载步骤瞬间输出上，例如，当
负载突然增加时，输出电容提供
直到负荷控制回路有机会来壮大电感
目前，这会导致输出到下冲。输出
所需的电容来满足电压降的要求
可以使用以下公式来计算：
ADP2381
选择用C给出的最大输出电容
OUT_UV
, C
OUT_OV
,
和C
输出纹波
以满足负载瞬态和输出纹波
性能。
选定的输出电容电压额定值应大于
比输出电压。输出的RMS电流额定值
电容器应比下面的等式较大：
I
C
OUT
_
RMS
=
I
L
12
低端功率器件选择
该
ADP2381
具有集成低边MOSFET驱动器，
驱动低压侧NFET 。低侧NFET的选择
影响的DC- DC调节器的性能。
所选的MOSFET必须满足以下要求：
漏源电压（V
DS
）必须高于
1.2 × V
IN
.
漏电流（I
D
）必须大于1.2×我
LIMIT_MAX
,
这是选择的最大限流门限。
该
ADP2381
低侧栅极驱动电压为8 V.确保
所选的MOSFET可以完全打开，在8五，总
栅极电荷（Q
g
在8V ）必须小于50 NC 。低Q
g
特征构成更高的效率。
在低端MOSFET承载电感电流时
高边MOSFET关断。对于低占空比
应用中，低侧MOSFET进行输出
在大部分时间电流。以实现更高的
效率，以选择导通电阻低是很重要的
MOSFET。低侧的功率传导损耗
MOSFET可以通过使用下面的计算
公式：
P
FET_LOW
= I
OUT2
× R
DSON
× (1 – D)
哪里
R
DSON
是在低侧MOSFET的电阻。
确保MOSFET能够处理热
耗散由于功率损耗。
C
OUT
_
UV
=
K
UV
×
I
步
×
L
2
×
(
V
IN
V
OUT
)
×
V
OUT
_
UV
2
其中：
K
UV
通常的2倍。
ΔI
步
是负载阶跃。
ΔV
OUT_UV
是对输出电压的允许下冲。
当负载突然从删除，则会出现另一种情况
输出。存储在电感中的能量冲向
电容器，这导致输出过冲。输出
所需的电容，以满足过冲的要求可以是
使用下列公式计算：
C
OUT
_
OV
=
K
OV
×
I
步
2
×
L
(
V
OUT
+
V
OUT
_
OV
)
2
V
OUT
2
其中：
K
OV
通常的2倍。
ΔV
OUT_OV
是对输出电压的允许下冲。
输出纹波是由ESR和电容来确定
距离。使用下面的等式来选择一个电容器可以
满足输出纹波的要求：
C
OUT
_
纹波
=
8
×
f
SW
I
L
×
V
OUT
_
纹波
R
ESR
=
V
OUT
_
纹波
I
L
其中：
ΔV
输出纹波
是可允许的输出纹波电压。
R
ESR
是的等效串联电阻输出电容。
表8.推荐的MOSFET
供应商
飞兆半导体
飞兆半导体
飞兆半导体
日前，Vishay
AOS
AOS
产品型号
FDS6298
FDS8880
FDM7578
SiA430DJ
AON7402
AO4884L
V
DS
(V)
30
30
25
20
30
40
一些建议的MOSFET都列在表8中。
I
D
(A)
13
10.7
14
10.8
39
10
R
DSON
(mΩ)
12
12
8
18.5
15
16
Q
g
（ NC ）
10
12
8
5.3
7.1
13.6
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