FDU6676AS
2005年9月
FDU6676AS
概述
N沟道的PowerTrench
SyncFET
30V ， 90A ， 5.8mΩ
特点
R
DS （ ON）
= 5.8mΩ最大， VGS = 10V
R
DS （ ON）
= 7.3mΩ最大， VGS = 4.5V
高性能沟道技术极
低R
DS （ ON）
低栅电荷
高功率和电流处理能力
包括SyncFET肖特基二极管
该FDU6676AS被设计来取代单一的
MOSFET和肖特基二极管的同步DC / DC
电源供应器。这个30V的MOSFET被设计成
最大限度地提高功率转换效率，提供了一个低
R
DS （ ON）
和低栅极电荷。该FDU6676AS包括
MOSFET的专利组合，单片
结合使用肖特基二极管飞兆半导体
单片SyncFET技术。
应用
DC / DC转换器
D
I- PAK
(TO-251AA)
摹 S
G
S
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
P
D
T
A
=25
o
C除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
-Continuous
（注1A ）
评级
30
±20
90
100
（注1 ）
（注1A ）
（注1B ）
单位
V
V
A
W
*脉冲
功率消耗单操作
70
3.1
1.3
-55到+150
T
J
, T
英镑
工作和存储结温
范围
°C
热特性
R
θJC
R
θJA
R
θJA
热阻结到外壳
热阻结到环境
热阻结到环境
（注1 ）
（注1A ）
（注1B ）
1.8
45
96
° C / W
包装标志和订购信息
器件标识
FDU6676AS
FDU6676AS
FDU6676AS
设备
FDU6676AS
FDU6676AS_NL
（注4 ）
FDU6676AS_F071
（注5 ）
包
Ⅰ- PAK （TO- 251 ）
Ⅰ- PAK （TO- 251 ）
Ⅰ- PAK （TO- 251 ）
带尺寸
管
管
管
胶带宽度
不适用
不适用
不适用
QUANTITY
75
75
75
FDU6676AS版本A （ W） ）
2005
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
