FDD8796 / FDU8796的N-沟道PowerTrench
MOSFET
2006年3月
FDD8796/FDU8796
N沟道的PowerTrench
MOSFET
25V ，35A ， 5.7mΩ
概述
这N沟道MOSFET的设计专门为
使用改进的DC / DC变换器的整体效率
同步或传统开关PWM
控制器。它已被优化的低门电荷，低
r
DS （ ON）
和快速的开关速度。
特点
最大
DS （ ON）
=
5.7mΩ在V
GS
= 10V ，我
D
= 35A
最大
DS （ ON）
=
8.0mΩ在V
GS
= 4.5V ，我
D
= 35A
低栅极电荷：Q
g(10)
= 37nC （典型值） ，V
GS
= 10V
低栅极电阻
应用
核心电压DC-DC用于台式计算机和服务器
VRM用于中间总线架构
额定雪崩和100 ％测试
符合RoHS
LE
A
稀土
I
DF
D
M
E
N
TA
TIO
L
E
N
MP
G
D
摹 S
I- PAK
(TO-251AA)
S
短引线I- PAK
G
S
MOSFET的最大额定值
T
C
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
DS
V
GS
I
D
E
AS
P
D
T
J
, T
英镑
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
- 连续（包装有限公司）
- 连续（模具有限公司）
-Pulsed
单脉冲雪崩能量
功耗
工作和存储温度
（注1 ）
（注2 ）
参数
评级
25
±20
35
98
305
91
88
-55至175
mJ
W
°C
A
单位
V
V
热特性
R
θJC
R
θJA
R
θJA
热阻，结到外壳TO_252 ， TO_251
热阻，结到环境TO_252 ， TO_251
热阻，结到环境TO- 252,1in铜焊盘面积
2
1.7
100
52
° C / W
° C / W
° C / W
包装标志和订购信息
器件标识
FDD8796
FDU8796
FDU8796
设备
FDD8796
FDU8796
FDU8796_F071
包
TO-252AA
TO-251AA
TO-251AA
1
带尺寸
13’’
N / A （管）
N / A （管）
胶带宽度
12mm
不适用
不适用
QUANTITY
2500台
75个单位
75个单位
www.fairchildsemi.com
2006仙童半导体公司
FDD8796 / FDU8796版本B
