FDD6637 35V P沟道PowerTrench
MOSFET
电气特性
符号
V
SD
TRR
QRR
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
漏源二极管正向
电压
二极管的反向恢复时间
二极管的反向恢复电荷
测试条件
民
典型值
最大单位
V
ns
nC
漏源二极管特性
V
GS
= 0 V，I
S
= –14 A
IF = -14 A，
（注2 ）
–0.8
28
15
–1.2
DIF / DT = 100 A / μs的
注意事项：
1.
R
θJA
是总和的结到壳体和壳到环境的热阻，其中所述壳体热参考被定义为所述焊料安装面
漏极引脚。
θJC
由设计而
= CA
是通过用户的电路板的设计来确定。
一）R
θJA
= 40 ℃/安装在当W
2
2盎司纯铜1英寸垫
B ）R
θJA
= 96 ° C / W安装时
上的最小垫。
在信纸尺寸的纸张1 ： 1规模
2.
脉冲测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2.0 ％
P
D
R
DS （ ON）
3.
最大电流的计算公式为：
其中，P
D
最大功耗在T
C
= 25℃和R
DS （ ON）
是在T
J（下最大）
和V
GS
= 10V 。封装电流限制为21A
4.
如果设备在设备的研究所SOA边界内运作BV （雪崩）单脉冲等级保证。
FDD6637版本C （ W）
www.fairchildsemi.com
