AN-6300
应用说明
设计过程变压器的原边电感
在本节中，一个设计过程使用所描述的
概略图1作为参考的。
设计成开启MOSFET时
V
ds
到达
最低电压
V
in
-n （V
o
+V
d
).
[A ]定义系统规格
线路电压范围（V
IN， MIN
和
V
IN，最大
)
最大输出功率（P
o
).
输出电压（V
o
）和最大输出电流（I
o
)
估计效率（ η ）
功率转换效率，必须估计到
计算最大输入功率。在NB中的情况下
适配器应用中，典型效率为85 ％ 90 ％ 。
与所估计的效率，最大输入功率
由下式给出：
n:1
+
V
in
N（ V
o
+V
d
)
-
+
C
OSS
+
V
ds
-
-
+
V
d
-
+
V
o
-
P
in
=
P
o
η
(1)
[B]估计反射输出电压
图3显示了漏极电压的典型波形
准谐振反激式转换器。当MOSFET
被关断时，直流母线电压（V
o
） ，连同
输出电压（V
o
）及的正向压降
肖特基二极管（V
d
）反射到初级，强加
在MOSFET上。跨越的最大额定电压
该MOSFET （V
ds
）为：
V
ds
N（ V
o
+V
d
)
V
ds
N（ V
o
+V
d
)
N（ V
o
+V
d
)
V
IN，最大
N（ V
o
+V
d
)
0V
MOSFET的漏极电压图3.典型波形
对于QR操作
V
DS ，最大
=
V
IN，最大
+ n
(
V
o
+ V
d
)
(2)
I
ds
其中，初级到次级侧的匝数比
变压器被定义为
n
和
V
ds
是因为在指定的
式（2） 。
通过增加
n,
电容性开关损耗和
MOSFET的导通损耗减小。然而，这
增加了在MOSFET上的电压应力，如图
图3。因此，确定
n
通过之间的权衡
所述电压裕度的MOSFET和效率。
典型地，一个关断电压尖峰
V
ds
被认为是
100V ，从而
V
DS ，最大
是围绕490 550V
（ 75 85 ％的MOSFET的额定电压） 。
I
in
I
DSPK
I
d
DT
s
[C]确定变压器原边
电感（L
P
)
图4示出了MOSFET的漏极的典型波形
电流（I
ds
） ，次级二极管电流（I
d
），以及
MOSFET的漏极电压（V
ds
）一个QR转换器。中
t
关闭
时，电流流过次级侧整流
二极管。当
I
d
减少到零，
V
ds
开始由下降
的有效输出电容之间的共振
MOSFET和初级侧电感（L
P
） 。对
最大限度地减少了开关损耗，在FAN6300 / A / H的
2009仙童半导体公司
修订版1.0.2 10年5月21日
3
V
ds
N（ V
o
+V
d
)
V
in
+ N （V
o
+V
d
)
V
in
N（ V
o
+V
d
)
V
in
-n （V
o
+V
d
)
t
关闭
T
S
t
F
t
ON
QR操作图4.典型波形
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