FAN3216 / FAN3217 - 双2A ，高速，低侧栅极驱动器
热指引
用于在切换MOSFET和IGBT栅极驱动器
高频可以消散显著量
力。它以确定驱动器的供电是很重要的
耗散，并在所得到的结温
应用程序，以确保该部分内操作
可接受的温度极限。
在栅极驱动器的总功耗是总和
两种组分，磷
门
和P
动态
:
P
总
= P
门
+ P
动态
(1)
栅极驱动损耗：最显著的功率损耗
从每个单元供给栅极的电流（电荷结果
时间），以在打开和关闭负载MOSFET的
开关频率。功耗是
从驱动MOSFET在指定的网关结果
源电压，V
GS
与栅极电荷，Q
G
在
开关频率f
SW
，由下式确定：
P
门
= Q
G
V
GS
f
SW
n
(2)
其中n是驱动器通道中使用的数量（1或2）。
动态预驱动器/直通电流：一电
从内部电流消耗下造成的损失
动态运行条件，包括针拉/
下拉电阻，可以用图表来获得
在典型性能特性来确定
目前我
动态
从V画
DD
在实际
工作条件：
P
动态
= I
动态
V
DD
n
(3)
在正激变换器的同步整流
中的典型应用图所示，该
FDMS8660S是一个合理的选择MOSFET 。该
每个SR MOSFET的栅极电荷会60nC与
V
GS
= V
DD
= 7V 。频率为500kHz时，开关频率
总功耗为：
P
门
= 60nC 7V 为500kHz 2 = 0.42W
P
动态
= 3毫安 7V 2 = 0.042W
P
总
= 0.46W
(5)
(6)
(7)
采用SOIC - 8具有结到电路板的热
表征参数
JB
= 43 ° C / W 。在一个系统中
应用，在该装置周围的局部温度
是印刷电路板的布局和结构的功能
随着整个表面的气流。为了确保
运行可靠，最高结温
该设备必须从超过防止
150 °C的最高评级;有80 ％的降额，T
J
将
被限制到120℃。重新整理公式4确定
所需的电路板温度保持结
温度低于120 ° C：
T
B
= T
J
- P
总
JB
T
B
= 120 °C - 0.46W 43 ° C / W = 100℃
(8)
(9)
一旦消耗在驱动器的功率是确定的，
驾驶员结上升相对于电路板可以
使用以下热方程来评估，
假设
JB
物，同样地热测定
设计（散热和气流） ：
T
J
= P
总
JB
+ T
B
(4)
其中：
T
J
=驱动器结点温度;
JB
= （ PSI）热特性参数
关于温度上升到总功率
散热;和
T
B
=电路板温度的位置定义
热特性表。
2009仙童半导体公司
FAN3216 / FAN3217 版本1.0.1
www.fairchildsemi.com
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