FAN3216 / FAN3217 - 双2A ，高速，低侧栅极驱动器
应用信息
输入阈值
在FAN3216和FAN3217的驱动由两个
相同的信道可以被独立地使用在
额定电流或并联连接的一倍
目前的个人能力。
输入阈值的符合行业标准的TTL逻辑
门槛独立的V
DD
电压，且有
约0.4V的滞后电压。这些级别
允许输入可以来自一系列输入逻辑的驱动
为此电压超过2V被认为是信号电平
逻辑高电平。为TTL输入驱动信号应
有快速的上升沿和下降沿与一个压摆率
6V / μs或更快，所以从0上升时为3.3V应
550ns或更小。降低转换速率，电路噪声
可能会导致驱动器输入电压超过
滞后电压和重新触发驱动器的输入，引起
工作不稳定。
图29. MillerDrive 输出架构
欠压锁定
该FAN321x启动逻辑进行了优化，推动地面
引用的N沟道MOSFET与一个欠电压
锁定（UVLO）功能，以确保在IC启动
有序推进。当V
DD
正在上升，但低于
3.9V操作层面上，这个电路保持输出低电平，
不管输入引脚的状态。部分后
激活时，电源电压必须在下拉0.2V
部分关闭。这种滞后有助于防止颤振
当低V
DD
电源电压有噪声的
电源开关。该结构不适合于
驱动高侧P沟道MOSFET ，因为低
驱动器的输出电压将变成P型沟道
MOSFET与V
DD
下面3.9V 。
静态电源电流
在我
DD
（静态）的典型性能特征
在图8和图9所示，各曲线产生
有两个输入和浮动两路输出低到
表示最低静态I
DD
电流。对于其他国家，
额外的电流流经100k电阻上
中的框图所示的输入和输出
每个部分
（参见图4和图5）。
在这些情况下，
实际静态I
DD
电流是从所获得的值
曲线加上这额外的电流。
MillerDrive 栅极驱动技术
FAN3216和FAN3217栅极驱动器纳入
显示MillerDrive 架构图29为
输出级，双极和MOS器件的组合
提供大的电流在很宽的范围内供给的
电压和温度变化。双极型器件
携带大量的电流为1/3 OUT之间摆动
2/3 V
DD
与MOS器件拉输出到
高或低轨道。
该MillerDrive 结构的目的是为了加速
通过提供米勒在大电流切换起来
平坦区时的栅极 - 漏极电容
MOSFET将被充电或放电的的部分
导通/关断过程。
对于在应用中以零电压开关
MOSFET的导通和关断的时间间隔，司机用品
高的峰值电流为快速切换，即使
米勒平台不存在。这种情况常发生
在同步整流器应用，因为身体
二极管通常在进行MOSFET是前
接通。
输出引脚的压摆率是由V确定
DD
电压
和输出上的负载。这不是用户可调的，但
串联电阻可以加入，如果一个较慢的上升或下降时间
在MOSFET的栅极是必要的。
V
DD
旁路电容指引
为了使该IC打开设备上的很快，当地
高频旁路电容C
BYP
，低ESR
和ESL应连接在VDD和之间
GND引脚以最小的走线长度。该电容器是
除了10μF至47μF大容量电解电容
在驱动器和控制器的偏置电路中常见的。
一个典型的准则选择C的值
BYP
是
保持纹波电压在V
DD
供应
≤
5％。这
通常与一个值来实现
≥
相当于20倍
负载电容C
EQV
，此处定义为Q
门
/V
DD
.
0.1μF的陶瓷电容1μF或更大的
常见的选择，因为是电介质，如X5R和
X7R的，具有良好的温度特性和高
脉冲电流的能力。
如果电路的噪声会影响正常运行，值
C
BYP
可以增加，以50100倍了C
EQV
或
C
BYP
可分成两个电容。每个人都应该是一个
较大的值，是根据等效负载电容，并
其它更小的值，如1-10nF装
最接近于VDD和GND引脚携带要求很高的
电流脉冲的频率分量。该
旁路电容器必须提供脉冲电流
两个驱动器的通道，并且如果司机
同时开关，将合并的峰值电流
从C源
BYP
将是两倍大时
单个信道的切换。
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2009仙童半导体公司
FAN3216 / FAN3217 版本1.0.1
