AN-6069
应用说明
同步整流操作
经营作为同步整流器，MOSFET （ SR ）
经历的切换间隔显著不同于
一个钳位电感性负载的情况下。图6示出
用简化的正向转换器功率级
同步整流Q
SR
代替续流二极管的。
t
关闭
=
Q
Q， SR
I
G
(11)
其中Q
QSR
在参考[3]定义为：
Q
Q， SR
=
(C
GS
+
C
GD ， SR
)
V
DD
此外，在参考文献[3 ] ，C
GS ， SR
被估计为：
(12)
C
GD ， SR
=
2
C
RSS ， SPEC
V
DS ， SPEC
0.5
V
DD
(13)
从标准MOSFET的命名：
C
GS
=
C
国际空间站
C
RSS
(14)
图6 。
简化的正向转换器
在本例中，由控制产生一个SR信号
电路跨过隔离边界，以保持
同步整流Q
SR
上而Q1关断。然而，该
SR信号应指挥Q
SR
Q 1匝之前关闭
上施加正电压施加到变压器。图7
示出了用于示出关断序列4的间隔
的同步整流器。
V
美国证券交易委员会
V
DC
V
美国证券交易委员会
V
DC
在图7 （ b）中， MOSFET完全关闭，我
L
通过FL OWS
体二极管，和V
美国证券交易委员会
极性没有改变。
当V
美国证券交易委员会
改变极性，如图7（ c）所示，
从V电流FL OWS
美国证券交易委员会
恢复所存储的体二极管
充二极管整流。在图7 （ d）所示，体
二极管已经完全康复和V
DS
迅速上升。该
高dv / dt的MOSFET的漏极可导致电容
电流流过了C
DS
/C
GS
分压器，所以
驱动程序具有很强的灌电流能力是必不可少举行
低于阈值电压的栅极电压。
在同步整流器应用，我
G
不影响
开关损耗，因为它在被夹持的电感性负载做
应用程序。然而，用在SR的并联MOSFET
应用需要高的电流脉冲切换
有效地和高电流驱动器通常位于
近在咫尺。
+
C
GD
R
G
-
D
R
DS
I
L
+
C
GD
-
I
L
D
变压器驱动应用
DBD
DBD
R
G
C
GS
R
低
C
DS
C
GS
I
G
R
低
S
S
(b)
(a)
V
DC
V
美国证券交易委员会
V
DC
-
V
美国证券交易委员会
C
GD
I
L
I
L
+ D
I
G
C
DS
DBD
-
+
C
GD
C
DS
D
在功率转换器，例如一个半桥，全桥，双
开关正激转换器;和有源钳位正激
转换器有高压侧开关或组合
必须控制的高/低的开关。如果电
隔离不控制和电源之间需要
开关，所述的MOSFET可被驱动与
半导体半桥栅极驱动器，但内在
传播延迟必须在设计中加以考虑。为
需要隔离，或可从短受益电路
传播延迟，栅极驱动变压器应
认为是一个潜在的解决方案。
在一个相关的应用中，通常需要提供高
初级和次级之间的高速通信
分离的转换器的两侧。这是可以实现
使用的技术，如光隔离数字输出
或磁脉冲变压器。这些脉冲变压器
类似于栅极驱动变压器，但它们仅
传输逻辑信号，而不是提供所需
高电流脉冲把一个功率MOSFET开启和关闭。
图8所示的简化的电路是用来说明本
一个低侧驱动器和脉冲变压器的基本动作
在通信电路中使用。变压器显示
作为理想变压器匝数比NP： NS = 1： 1并联
www.fairchildsemi.com
4
R
G
R
低
C
GS
R
G
R
低
DBD
C
GS
S
(c)
(d)
S
图7 。
SR MOSFET关闭
先关闭时，MOSFET导通负载电流的余
L
通过该电阻通道
DS
和漏极 - 源极
电压是负的。在图7 （a）该驱动器的输出是
低和C的组合
GD
和C
GS
在放电
平行于由给定的时间间隔：
2007仙童半导体公司
修订版1.0.3 10年1月6日
