AN-6069

应用说明

结论

低端驱动器来驱动的功率MOSFET中

应用包括钳位感性负载开关，

同步整流电路，脉冲/门变压器

驱动电路。栅极驱动电流与所述关系

MOSFET开关和转换的时间间隔已

在著名的MOSFET开关间隔详细说明。

潜在的驱动器解决方案;包括分立元件，

集成的PMOS / NMOS和复合驱动器，分别为

检查。部分的非理想特性的

突出强调各种驱动电路。

不存在一个简单的统一的方法来表征

在众多类型的输出电流接收器和源能力

可用的驱动程序。本说明中介绍的测试电路

可用于研究在V

OUT

与我

OUT

能力

分立和集成电路驱动器，从而实现评价

和驱动程序用于一系列应用的比较。

参考文献：

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2006年飞兆功率研讨会主题“了解现代功率MOSFET ， ”可在fairchildsemi.com网站的链接：

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哦， KS ， “ MOSFET基础知识” ， 2000年7月，作为AN9010从fairchildsemi.com网站。

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约翰逊，H博士， “高速数字设计在线时事通讯”卷。 3第8期，

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作者

马克·丹尼斯出生在特洛伊， NC ，并获得工程学士学位，从杜克大学在1983年后

毕业后他在行业曾涵盖电力电子应用，例如离线和直流到直流电源

供电设计，为电信和计算机系统，高压电源的静电除尘器和在线式UPS

系统。做了八年马克一直在半导体行业，他是由飞兆半导体采用

安森美半导体的专职工程师在高功率系统的工作。

2007仙童半导体公司

修订版1.0.3 10年1月6日

www.fairchildsemi.com

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