热指引
用于在切换MOSFET和IGBT栅极驱动器
高频可以消散显著量
力。它以确定驱动器的供电是很重要的
耗散，并在所得到的结温
应用程序，以确保该部分内操作
可接受的温度极限。
在栅极驱动器的总功耗是总和
两种组分，磷
门
和P
动态
:
P
总
= P
门
+ P
动态
(1)
栅极驱动损耗：最显著的功率损耗
从每个单元供给栅极的电流（电荷结果
时间），以在打开和关闭负载MOSFET的
开关频率。功耗是
从驱动MOSFET在指定的网关结果
源电压，V
GS
与栅极电荷，Q
G
在
开关频率f
SW
，由下式确定：
P
门
= Q
G
V
GS
F
SW
n
(2)
n为驱动器通道的使用中的号码（1或2）。
动态预驱动器/直通电流：一
由内部电流产生的功率损耗
在动态工作条件下的消耗，
包括引脚上拉/下拉电阻，可
使用“我得到的
DD
（空载）与频率的关系“
在典型性能特性来图
确定当前的本人
动态
从V画
DD
在实际工作条件：
P
动态
= I
动态
V
DD
n
(3)
在正激变换器的同步整流
中的典型应用图所示，该
FDMS8660S是一个合理的选择MOSFET 。该
每个SR MOSFET的栅极电荷会60nC与
V
GS
= V
DD
= 7V 。频率为500kHz时，开关频率
总功耗为：
P
门
= 60nC 7V 为500kHz 2 = 0.42W
P
动态
= 3毫安 7V 2 = 0.042W
P
总
= 0.46W
(5)
(6)
(7)
采用SOIC - 8具有结到电路板的热
表征参数
JB
= 43 ° C / W 。在一个
系统中的应用，围绕局部温度
该装置是在布局和结构的函数
随着整个表面的气流在PCB上。对
确保可靠的操作，最大结
该装置的温度必须从防止
超过150℃的最大额定值;用80％的
降额，T
J
将被限制在120℃。重新排列
式（4）确定所需的电路板温度
保持在低于120℃的结温：
T
B
= T
J
- P
总
JB
T
B
= 120 °C - 0.46W 43 ° C / W = 100℃
(8)
(9)
一旦消耗在驱动器的功率是确定的，
驾驶员结上升相对于电路板可以
使用以下热方程来评估，
假设
JB
物，同样地热测定
设计（散热和气流） ：
T
J
= P
总
JB
+ T
B
(4)
为了进行比较，取代SOIC-8用在
前面的例子与采用3x3mm MLP封装
JB
= 3.5 ° C / W 。在采用3x3mm MLP封装能运行
在一个印刷电路板的温度为118℃ ，同时保持
结点温度低于120℃。这说明
身体较小MLP封装，散热垫
提供了更多的传导路径，以去除热
该驱动程序。考虑整体减少之间的权衡
电路的尺寸与结温的降低
提高了可靠性。
其中：
T
J
=驱动结温
JB
= （ PSI）热特性参数
关于温度上升到总功率
耗散
T
B
注定义的位置=电路板温度
1下热阻表。
2007仙童半导体公司
FAN3226 / FAN3227 / FAN3228 / FAN3229 版本1.0.7
www.fairchildsemi.com
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