FAN3111 - 单1A高速，低侧栅极驱动器
应用信息
该FAN3111提供CMOS-或逻辑电平兼容
输入阈值。在FAN3111C ，逻辑输入
阈值是依赖于在V
DD
级和，V字形
DD
12V的，逻辑的上升沿阈值是约
Ⅴ的55％的
DD
和输入下降沿阈值是
V约38 ％
DD
。该CMOS输入
CON组fi guration
报价
a
迟滞
电压
of
Ⅴ的约17％
DD
。 CMOS输入即可
与相对缓慢的边缘（接近直流） ，如果使用
良好的去耦和旁路技术是
在系统设计中，以防止噪声引入
违反输入电压滞后窗。这
可以通过安装一个RC设定精确的时间间隔
该控制信号和IN引脚之间的电路
该驱动程序。慢上升沿的IN引脚
司机介绍的控制信号之间的延迟
和驱动器的输出管脚。
在FAN3111E ，输入阈值依赖
在V
外部参照
通常选用2V电压之间
和5V 。这一系列的V
外部参照
允许与兼容
TTL和其他逻辑电平上升到5V通过连接
XREF引脚连接到同一个源的逻辑电路，
驱动FAN3111E输入级。逻辑上升沿
阈值是V的大约50％
外部参照
和输入
下降沿阈为V的大约30％的
外部参照
.
该TTL般的输入配置提供滞后
第V的大约20 ％的电压
外部参照
.
图36示出起动时的动作为V
DD
增加
从0到12V的输出指令到高
电平（ +连接到VDD ， IN-连接到GND ） 。这
配置可能不适合用于驱动高侧
P沟道MOSFET由于低的输出电压
驱动程序将试图把P沟道MOSFET
与低V
DD
的水平。
VDD
OUT
FAN3111C
OUT @ 5 V /格
@ VDD 5 V /格
T = 200美元/格
图36 。
启动运行为V
DD
增加
图37示出了与FAN3111E起动时的动作
输出控制成低电平（IN +接地）
和上XREF的电压斜坡从0到3.3V。
VDD
外部参照
@ VDD 5 V /格
OUT
FAN3111E
启动试运
该FAN3111内部逻辑进行了优化，推动地面
引用N沟道MOSFET的V
DD
电源电压
启动运行过程中上升。由于V
DD
上升从0V到
约2V ， OUT引脚保持低电平由
内部电阻，不管输入引脚的状态。
当内部电路在变为活动
约2V ，输出假设状态
通过输入命令。
图35示出了具有FAN3111C起动时的动作
V
DD
从0增大到12V，与输出
指令到低电平（ IN +和IN-绑
接地）。需要注意的是输出保持低电平维持N-
沟道MOSFET处于关断状态。
VDD
OUT @ 2 V /格
VXREF @ 2 V /格
T = 50美元/格
图37 。
FAN3111E启动试运
MillerDrive 栅极驱动技术
FAN3111驱动器纳入MillerDrive架构
在图38的输出级中，组合示
能提供大量的双极型和MOS器件
电流在很宽范围的电源电压和
的温度变化。双极型器件扛
当前的散装之间1/3至2/3 OUT波动
V
DD
与MOS器件拉输出到HIGH或
低轨道。
该MillerDrive架构的目的是为了加速
由提供在最高电流开关
米勒平坦区时的栅极 - 漏极电容
MOSFET被充电或放电的的一部分
的接通/关断过程。对于零的应用
在MOSFET中压开关的接通或关断
间隔中，驱动电源的高的峰值电流为快
切换尽管米勒平台不存在。
这种情况经常发生在同步整流器
应用，因为体二极管通常是
在进行MOSFET打开之前。
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OUT
FAN3111C
OUT @ 5 V /格
@ VDD 5 V /格
T = 200美元/格
图35 。
FAN3111C启动试运
2008飞兆半导体公司
FAN3111 版本1.0.2
