FAN3268 -2A低压PMOS- NMOS桥驱动器
应用信息
输入阈值
该FAN3268驱动器具有TTL输入阈值和
提供了从逻辑缓冲和电平转换功能
输入。输入阈值满足行业标准
TTL逻辑门限，独立的V
DD
电压，
且有大约0.4V的滞后电压。
这些级别允许的输入可以从一系列从动
的量的电压超过2V被输入逻辑信号电平的
深思熟虑的逻辑高电平。为TTL电驱动信号
输入应具有快速上升和下降边
6V /微秒的转换速率或更快，所以从0上升时为3.3V
应该是550ns或更小。降低转换速率，电路
噪声可能会导致驱动器输入电压超过
滞后电压和重新触发驱动器的输入，引起
工作不稳定。
图27. MillerDrive 输出架构
欠压锁定
内部电路提供欠压闭锁
功能，可防止输出开关器件从
如果V工作
DD
电源电压低于所述
操作水平。当V
DD
是上涨，但低于3.9V时
业务层面，内部100k电阻偏置非
反相输出低电平，反相输出到V
DD
to
在启动过程中的时间间隔保持外部MOSFET关闭
当逻辑控制信号可以不存在。后
部分处于活动状态，电源电压必须在0.2V下降
部分关闭。这种滞后有助于防止
闲聊时，低V
DD
电源电压有噪音
电源开关。
静态电源电流
在我
DD
（静态）的典型性能特征
（参见图6） ，
该曲线与生产的所有输入/
使浮动（ OUT为低） ，并且指示该最低
静态I
DD
目前的测试配置。对于其他
状态，附加的电流流过100k
在输入和输出电阻中的块所表示
图
（请参见图3）。
在这些情况下，实际的静态
I
DD
电流是从曲线获得的值加上
这种额外的电流。
MillerDrive 栅极驱动技术
FAN3268栅极驱动器纳入MillerDrive
示于0架构对于输出级，一
双极MOS管组合装置提供大
电流在很宽范围的电源电压和
的温度变化。双极型器件扛
当前的散装1和2之间的输出摆动
三分之二V
DD
与MOS器件拉输出到
高或低轨道。
该MillerDrive 结构的目的是为了加速
通过提供米勒在大电流切换起来
平坦区时的栅极 - 漏极电容
MOSFET将被充电或放电的的部分
导通/关断过程。
对于在应用中以零电压开关
MOSFET的导通和关断的时间间隔，司机用品
高的峰值电流为快速切换，即使
米勒平台不存在。这种情况常发生
在同步整流器应用，因为身体
二极管通常在进行MOSFET是前
接通。
输出引脚的压摆率是由V确定
DD
电压
和输出上的负载。这不是用户可调的，但
串联电阻可以加入，如果一个较慢的上升或下降时间
在MOSFET的栅极是必要的。
V
DD
旁路电容指引
为了使该IC打开设备上的很快，当地
高频旁路电容C
BYP
低ESR和
ESL应连接在VDD和GND之间
针以最小的走线长度。该电容器是
除了10μF至47μF大容量电解电容
在驱动器和控制器的偏置电路中常见的。
一个典型的准则选择C的值
BYP
是
保持纹波电压在V
DD
供应
≤5%.
这是
通常用一个值来实现
≥20
倍，等效
负载电容C
EQV
，此处定义为Q
门
/V
DD
.
0.1μF的陶瓷电容1μF或更大的
常见的选择，因为是电介质，如X5R和
X7R的，具有良好的温度特性和高
脉冲电流的能力。
如果电路的噪声会影响正常运行，值
C
BYP
可增加到50100倍了C
EQV
或C
BYP
可分成两个电容。之一应该是一个较大的
值的基础上，等效负载电容，并且
其它更小的值，如1-10nF安装接近的
到VDD和GND引脚进行较高频率
电流脉冲的部件。旁路电容
必须提供的脉冲电流从两个驱动器的
渠道，如果驱动程序切换
同时，将合并的峰值电流了源代码
从C
BYP
将是两倍大时，一个单一的
频道切换。
2009仙童半导体公司
FAN3268 版本1.0.1
www.fairchildsemi.com
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