AN-6069
应用说明
在图15中所示的PMOS / NMOS版本具有天然
反转，并需要一个逆变器跟随的PWM
信号的极性。该电路提供轨对轨操作，但
直通是必须在设计中要考虑的一个问题
因为这两个设备可以进行公共栅极时
节点电压在V的中间部分
DD
范围内。
用于驱动数据表额定电流的常用方法：
可从装置中，通常在初始峰值电流
打开最大V
DD
当前可用的输出钳位在一个特定
电压，通常围绕V
DD
/2
目前可提供轨到低值电阻
（也许是0.5Ω ，甚至短路）
用电流探头测量电流
集成MOSFET驱动器是一个常用的
三种技术：主要是MOSFET ，双极性，或
两者的结合，通常被称为“复合”
设备。在MOSFET和双极版本类似
离散的解决方案如前所述，而
化合物的设计结合了这两种技术的特点。
内置有MOS输出状态低侧驱动器（ PMOS
高侧和NMOS低侧，类似的分立电路
在图15 ）所示，数据表的额定电流是
通常指定为峰值电流可从
的一部分，常与V指定
DD
附近的最大额定值
的部分。图16示出了输出电流和电压
使用的测试方法一4A驱动部分中的详细
“评估司机的法官”的。该测试
表明，该内部电路限制了峰值输出
额定4A ，无需外部电阻器附近的电流值。
图15.分立PMOS / NMOS驱动电路
使用分立驱动器的方法导致较高的
元件数量，需要更多的PCB板空间，
更装配和测试时间。较高的元件数量
可能会导致更多的采购成本和可靠性问题。
如果输入信号是来自一个逻辑电路或低
电压PWM ，分立驱动器需要额外的
电路，以从逻辑电平的功率的驱动电平转换。
集成电路驱动器提供的显著效益
除了大的脉冲电流能力。新的集成
在3x3mm的封装双司机和单司机
采用2x2mm封装包括散热热垫。
这些设备需要比独立更小的电路板空间
解决方案，同时提供增强散热性能，所以
它们非常适用于最密集的电源设计。
集成到设备的功能，如使
功能和UVLO ，打造易用性，降低
组件级的设计。它一直通常的做法是
提供与TTL兼容的输入阈值的驱动程序，可以
接受的输入从逻辑电平信号上升至V
DD
范围的装置。利用CMOS输入驱动器
阈值（2/3 V
DD
=高， 1 / 3V
DD
=低）可以帮助缓解
在输入端的噪声问题，或者设置更精确的定时延迟
的驱动程序。
图16. PMOS / NMOS驱动器V
OUT
我
OUT
数据驱动电流额定值
驱动数据表的额定电流和测试条件可能会导致
混乱。许多人认为栅极驱动器是近
理想电压源，可以立即提供电流，
由电路的串联电阻来确定。这是不
一定是真的。通常，电流可以从一个驱动器
的，由内部电路设计会受到限制，而不管
半导体技术的使用。这种自限制性质
不应与自我保护混淆;如果司机
输出短路的高或低，该设备很有可能失败。
在PMOS / NMOS驱动程序通常会指定驱动器输出
阻力当它接收或输出指定的电流，
如100mA电流。有趣的是注意到，该MOS型
司机没有达到第r
O，高
或R
O，低
电阻值
随即，当设备开始切换。为
例如， 4A的驱动程序通常指定的R值
O，高
or
R
O，低
1 - 2Ω 。如果该设备达到了这个低电阻
值瞬间，峰值电流将超过
7A与V
DD
= 15V.
在化合物器件，双极型和MOSFET器件是
组合在一个平行配置，如所示的
在图17中，其中该动力输出装置的阴影。
双极晶体管能够提供和吸收大电流
源电流，而输出电压摆动通过
中间的输出范围。 PMOS和NMOS操作
与双极性器件平行拉输出电压
到正或负轨要求。
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2007仙童半导体公司
修订版1.0.3 10年1月6日
