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EN39LV010
表3.操作模式
1M FLASH USER MODE表
手术
读
写
CMOS待机
输出禁用
部门保护
2
扇形
撤消
2
CE＃
L
L
V
cc
±
0.3V
L
L
L
OE ＃
L
H
X
H
H
H
WE＃
H
L
X
H
L
L
A0-A16
A
IN
A
IN
X
X
扇区地址，
A6 = L时， A 1 = H， A 0 = L
扇区地址，
A6 = H ，A = H， A 0 = L
DQ0-DQ7
D
OUT
D
IN
高-Z
高-Z
D
IN
, D
OUT
D
IN
, D
OUT
注意事项：
1， L =逻辑低= V
IL
，H =逻辑高电平= V
IH
, V
ID
=11
±
0.5V ， X =无所谓（ L或H，但不浮！ ）
D
IN
=数据，D
OUT
=数据输出，A
IN
=地址
2.扇区保护/解除保护可以通过编程设备来实现。
表4.辨识的装置（自选代码）
1M闪存制造商/设备ID表
A16
to
A14
X
A13
to
A10
X
A5
to
A2
X
描述
生产厂家
ID ：李炎
器件ID
扇形
保护
验证
CE＃
OE ＃
WE＃
A9
2
A8
H
1
A7
A6
A1
A0
DQ7到DQ0
1Ch
L
L
H
V
ID
L
X
L
L
L
7Fh
L
L
H
X
X
V
ID
X
X
L
X
L
H
D5h
01h
L
L
H
SA
X
V
ID
X
X
L
X
H
L
（被保护）
00h
（无保护）
注意：
1. A8 = H ，建议生产检查身份证。如果一个厂商ID读取与A8 = L时，芯片将输出配置
代码7Fh的。
2. A9 = VID仅用于HV A9自选模式。 A9必须
≤
工作电压（ CMOS逻辑电平）的命令自动选择模式。
该数据表可以通过后续的版本中修改
或修改，由于改变的技术规格。
5
2003宙硅解决方案公司， www.eonssi.com
版本C ，发行日期： 2011/10/27
