EMF33
晶体管
50
静态漏源
通态电阻，R
DS （ ON）
()
20
10
5
Ta=125°C
75°C
25°C
25°C
静态漏源
通态电阻，R
DS （ ON）
()
20
10
5
静态漏源
通态电阻，R
DS （ ON）
()
V
GS
=4V
脉冲
50
Ta=125°C
75°C
25°C
25°C
V
GS
=2.5V
脉冲
15
Ta=25°C
脉冲
10
2
1
0.5
0.001 0.002
2
1
0.5
0.001 0.002
5
I
D
=0.1A
I
D
=0.05A
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
0
0
5
10
15
20
漏电流：我
D
(A)
漏电流：我
D
(A)
栅源电压： V
GS
(V)
图4静态漏源导通状态
电阻与漏极电流（ Ι ）
图5静态漏源导通状态
电阻与漏极电流（ ΙΙ ）
图6静态漏源
通态电阻VS.
栅源电压
9
静态漏源
通态电阻，R
DS （ ON）
()
反向漏电流：我
DR
(A)
8
7
6
5
4
3
2
1
0
50 25
0
25
50
75
I
D
=100mA
V
GS
=4V
脉冲
正向传递
导纳： | YFS | （ S）
0.5
V
DS
=3V
脉冲
200m
100m
50m
20m
10m
5m
2m
1m
0.5m
0.2m
0.1m
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.005
0.002
Ta=25°C
25°C
75°C
125°C
V
GS
=0V
脉冲
I
D
=50mA
Ta=125°C
75°C
25°C
25°C
100 125
150
0.001
0.0001 0.0002
0.0005 0.001 0.002
0.005 0.01 0.02
0.05 0.1 0.2
0.5
0
0.5
1
1.5
通道温度：总胆固醇（C ）
漏电流：我
D
(A)
源极 - 漏极电压： V
SD
(V)
图7静态漏源导通状态
电阻与通道
温度
图8远期转移
导纳主场迎战漏电流
图9反向漏电流随
源极 - 漏极电压（ Ι ）
反向漏电流：我
DR
(A)
200m
100m
50m
20m
10m
5m
2m
1m
0.5m
0.2m
0.1m
V
GS
=4V
Ta=25°C
脉冲
50
20
电容：C （PF ）
Ta
=25°C
f=1MH
Z
V
GS
=0V
1000
500
具有结构转换的时间： T（ NS ）
t
f
t
D（关闭）
C
国际空间站
10
5
200
100
50
20
10
5
2
0.1 0.2
Ta
=25°C
V
DD
=5V
V
GS
=5V
R
G
=10
脉冲
0V
C
OSS
C
RSS
t
r
t
D（上）
2
1
0.5
0.1
0
0.5
1
1.5
0.2
0.5
1
2
5
10
20
50
0.5
1
2
5
10
20
50
100
源极 - 漏极电压： V
SD
(V)
漏源电压： V
DS
(V)
漏电流：我
D
（MA ）
图10反向漏电流随
源极 - 漏极电压（ ΙΙ ）
图11典型的电容与
漏源电压
图12开关特性
Rev.A的
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