位置：首页 > IC型号导航 > 首字符E型号页 > 首字符E的型号第420页 > ELM34419AA-N > ELM34419AA-N PDF资料 > ELM34419AA-N PDF资料1第3页
ELM34419AA-N
NIKO -SEM
P沟道逻辑电平增强
模式
P2003EV8
SOP-8
（初步）
■典型的电气和热特性的
单P沟道MOSFET
场效应晶体管
无卤&无铅
输出特性
60
0.050
导通电阻VS漏电流
-I
D
，漏源电流（A ）
50
V
GS
= 7V
R
DS （ ON）
导通电阻（ OHM ）
V
GS
= 10V
V
GS
= 5V
0.045
0.040
0.035
0.025
0.020
0.015
0.010
0.005
0
10
20
30
40
-I
D
,
漏极至源极电流
50
V
GS
= 10V
V
GS
= 4.5V
40
30
20
10
V
GS
= 4.5V
V
GS
= 3V
0
0.5
1
1.5
2
2.5
-V
DS
,
漏极至源极电压（ V）
导通电阻VS栅 - 源
0.05
导通电阻VS漏电流
R
DS （ ON）
x 1.8
R
DS （ ON）
导通电阻（ OHM ）
0.04
0.03
0.02
0.01
0
I
D
= -10A
0
R
DS （ ON）
导通电阻（ OHM ）
R
DS （ ON）
x 1.6
R
DS （ ON）
x 1.4
R
DS （ ON）
x 1.2
R
DS （ ON）
x 1.0
R
DS （ ON）
x 0.8
-V
GS
,
栅极 - 源极电压（ V）
2
4
6
8
10
R
DS （ ON）
x 0.6
- 50
V
GS
= 10V
I
D
= -10A
- 25
T
J
,
结温（
C
)
0
25
50
75
100
125
150
传输特性
50
栅极电荷特性
10
-V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
-I
D
，漏源电流（A ）
40
30
20
T
j
=25°C
10
0
1.0
T
j
=-20°C
8
6
4
2
0
0
I
D
= -10A
V
DS
= -15V
T
j
=125°C
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
4.5
9
13.5
18
22.5
27
-V
GS
,
栅极 - 源极电压（ V）
QG ，总栅极电荷
修订版0.9
3
Jan-08-2009
4- 3
