EGP30A THRU EGP30G

威世通用半导体

100

210

180

T

J

= 25 °C

F = 1.0 MHz的

V

SIG

= 50毫伏

p-p

正向电流（A ）

10

结电容（pF ）

T

J

= 150 °C

150

120

90

60

30

0

T

J

= 25 °C

1

脉冲宽度= 300微秒

1 ％占空比

0.1

EGP30A通EGP30D

EGP30F和EGP30G

0.01

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

1.6

1.8

EGP30A通EGP30D

EGP30F和EGP30G

0

1

10

100

1000

正向电压（ V）

反向电压（ V）

图。 3 - 典型的正向特性

图。 5 - 典型结电容

100

100

T

J

= 150 °C

10

T

J

= 125 °C

1

T

J

= 75 °C

0.1

瞬态热阻抗（ ℃/ W）

80

100

瞬时反向漏

电流（ μA ）

10

1

0.01

T

J

= 25 °C

0.001

0

20

40

60

0.1

0.01

0.1

1

10

100

1999额定峰值反向电压百分比（％ ）

吨 - 脉冲持续时间（ S）

图。 4 - 典型的反向漏电特性

图。 6 - 典型的瞬态热阻抗

包装外形尺寸

以英寸（毫米）

GP20

1.0 (25.4)

分钟。

0.210 (5.3)

0.190 (4.8)

DIA 。

0.375 (9.5)

0.285 (7.2)

1.0 (25.4)

分钟。

0.042 (1.07)

0.037 (0.94)

DIA 。

文档编号： 88584

修订： 15 -MAR- 11

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3

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