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EDS1216AHTA-TI
时钟挂起模式进入
SDRAM的时钟进入暂停从活动模式模式通过设置CKE为低。如果指令是输入时钟
暂停模式进入循环，该命令是有效的。根据当前的时钟暂停模式改变
状态（ 1个时钟之前） ，如下所示。
有效时钟暂停
这挂起模式通过内部维护银行的工作状态，在下一个时钟后忽略输入。
读暂停和阅读自动预充电暂停
的数据被输出被保持（并继续输出） 。
写入暂停和令状自动预充电暂停
在此模式下，外部信号是不能接受的。但是，内部状态被保持。
EO
数据表E1162E20 （版本2.0 ）
时钟暂停
在时钟挂起模式，保持CKE为低。
时钟挂起模式退出
从时钟的SDRAM退出的时钟挂起状态时设置CKE为高挂起模式。
空闲
在这种状态下，所有的银行都没有被选中，并完成预充电操作。
自动刷新命令[参考]
当该命令是从IDLE状态输入， SDRAM的启动自动刷新操作。 （自动刷新是
同传统的DRAM的CBR刷新）。在自动刷新操作，刷新地址和存储
SDRAM的内部已产生选择地址。对于每一个自动刷新周期，内部地址计数器
更新。因此， 4096次都需要刷新整个存储器。执行自动刷新之前
命令，所有的银行必须在空闲状态。另外，由于预充电的所有银行自动是
自动刷新后进行，不预充电命令，自动刷新后需要。
自刷新进入[自拍]
当该命令是在空闲状态的输入中，SDRAM开始自刷新操作。执行后
这个命令，自刷新继续，而CKE为低。因为自刷新是在内部和自动执行的，
外部的刷新操作是不必要的。
掉电模式进入
当此命令是在空闲状态下执行时， SDRAM进入省电模式。在掉电
模式时，功率消耗是通过切断所述初始输入电路抑制。
自刷新退出
当这个命令是在自刷新模式中执行时，该SDRAM可以退出从自刷新模式。退出后
从自刷新模式中，SDRAM进入IDLE状态。
掉电退出
当这个命令是在掉电模式下运行时， SDRAM可以退出从掉电模式。后
从睡眠模式退出时， SDRAM进入IDLE状态。
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