EDJ1104BFBG ， EDJ1108BFBG

IDD测量条件（ TC = 0 ° C至+ 85°C ， VDD和VDDQ = 1.5V

±

0.075V)

在这一章中， IDD和IDDQ测量条件，如试验载荷和模式的定义。

图中测量设置和测试负载的IDD和IDDQ测量显示设置和测试负载

IDD和IDDQ测量。

IDD电流（如IDD0 ， IDD1 ， IDD2N ， IDD2NT ， IDD2P0 ， IDD2P1 ， IDD2Q ， IDD3N ， IDD3P ， IDD4R ， IDD4W ，

IDD5B ， IDD6 ， IDD6ET ， IDD6TC和IDD7 ）的测量与所有VDD球时间平均电流

在测试DDR3 SDRAM绑在一起。任何的IDDQ电流不包括在IDD电流。

的IDDQ电流（如IDDQ2NT和IDDQ4R ）进行测量，与所有的VDDQ球的时间平均电流

被测DDR3 SDRAM连接在一起。任何IDD电流不包括在IDDQ电流。

注： IDDQ值不能直接用于计算DDR3 SDRAM的I / O电源。它们可以用于

模拟I / O电源的实际I / O电源支持的相关性在从模拟信道的相关概述I / O

电源由IDDQ测量实际的支持通道I / O电源。

用于长途和IDDQ测量，适用以下定义：

L和0 ： VIN

≤

VIL （AC） （最大）

H和1 ： VIN

≥

VIH （AC） （分）

浮：是指输入为VREF = VDDQ / 2

用于IDD和IDDQ测量回路模式时序在使用IDD和IDDQ提供计时

测量回路模式表。

基本IDD和IDDQ测量条件在基本IDD和IDDQ测试条件说明

表。

注意：国际直拨电话和IDDQ测量回路图案需要在至少一个时间之前实际IDD或将要执行

IDDQ测量开始。

详细IDD和IDDQ测量回路模式在IDD0测量回路模式表中描述

通过IDD7测量回路模式表。

IDD测量后正确初始化DDR3 SDRAM完成。这包括但不限于：设置。

RON = RZQ / 7 （ 34

在MR1 ） ;

QOFF = 0B （输出缓冲中MR1启用） ;

RTT_Nom = RZQ / 6 （ 40

在MR1 ） ;

RTT_WR = RZQ / 2 （ 120

在MR2 ） ;

TDQS功能禁用MR1

定义D = { / CS ， / RAS ， / CAS ， / WE } = { H，L ，L，L }

定义/ D = { / CS ， / RAS ， / CAS ， / WE } = { H，H ， H，H }

初步数据表E1629E20 （版本2.0 ）

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