SBYV26C

威世通用半导体

100

100

T

J

= T

J

马克斯。

10毫秒

单身

半

正弦波

T

J

= 25 °C

F = 1.0 MHz的

V

SIG

= 50毫伏

p-p

山顶前进

浪涌

电流（A ）

10

结电容（pF ）

1

10

100

10

1

1

0.1

1

10

100

周期数的AT 50赫兹

反向电压（ V）

图。 3 - 最大非重复性峰值正向浪涌电流

图。 6 - 典型结电容

100

100

10

T

J

= 165 °C

T

J

= 125 °C

1

T

J

= 25 °C

瞬态热阻抗（ ℃/ W）

正向电流（A ）

10

0.1

脉冲宽度= 300微秒

1 ％占空比

0.01

0

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

3.5

4.0

1

0.01

0.1

1

10

100

正向电压（ V）

吨 - 脉冲持续时间（ S）

图。 4 - 典型正向特性

图。 7 - 典型的瞬态热阻抗

100

瞬时反向漏

电流（ μA ）

10

T

J

= 165 °C

T

J

= 125 °C

1

0.1

0.01

T

J

= 25 °C

0.001

0

20

40

60

80

100

1999额定峰值反向电压百分比（％ ）

图。 5 - 典型的反向漏电特性

文档编号： 88735

修订： 15 -MAR- 11

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