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2月23日1999

半导体

MSC23136D/DL-xxBS10/DS10

1,048,576字×36位的动态RAM模块：快速页面模式类型

描述

该MSC23136D / DL - xxBS10 / DS10是一款完全解码， 1,048,576字×36位CMOS动态随机存取

在SOJ封装的内存模块由八个4Mb的DRAM和2的2Mb的DRAM在SOJ包装装

与上一个72针的玻璃环氧树脂单列直插式封装10去耦电容。该模块支持任何应用程序

其中高密度和存储存储器的大容量是必需的。该MSC23136DL （低功率版）是

专门设计用于低功率应用。

特点

· 1,048,576字×36位的组织

· 72针插座插入模块

MSC23136D / DL - xxBS10 ：金标签

MSC23136D / DL - xxDS10 ：焊片

·单+ 5V电源± 10 ％容差

=输入

： TTL兼容

=输出

： TTL兼容，三态

·刷新： 1024cycles / 16毫秒（ 1024cycles / 128ms的： L-版）

· / CAS / RAS刷新之前，隐藏刷新， / RAS只刷新功能

快速页模式功能

·多位测试模式功能

产品系列

访问时间（最大值）。

家庭

t

RAC

MSC23136D/DL-60BS10/DS10

MSC23136D/DL-70BS10/DS10

60ns

70ns

t

AA

30ns

35ns

t

CAC

15ns

20ns

周期

时间

（分）

操作（最大）

待机（最大）

功耗

110ns

130ns

4840mW

4290mW

55mW/

9.9mW(L-version)