DSS5140V
1,000
V
CE
= -5V
T
A
= 150°C
1
I
C
/I
B
= 10
800
h
FE
，直流电流增益
-V
CE （ SAT ）
，集电极 - 发射极
饱和电压（ V）
0.1
T
A
= 150°C
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
600
T
A
= 85°C
400
T
A
= 25°C
新产品
0.01
T
A
= -55°C
200
T
A
= -55°C
0
1
10
100
10,000
1,000
-I
C
，集电极电流（毫安）
图。 3典型的DC电流增益与集电极电流
0.001
0.1
1
10
100
1,000 10,000
-I
C
，集电极电流（毫安）
图。 4典型的集电极 - 发射极饱和电压
与集电极电流
-V
BE（上）
，基极发射极导通电压（V ）
-V
BE （ SAT ）
，基射极饱和电压（ V）
1.2
V
CE
= -5V
1.2
I
C
/I
B
= 10
1.0
1.0
0.8
T
A
= -55°C
0.8
T
A
= -55°C
0.6
T
A
= 25°C
0.6
T
A
= 25°C
0.4
T
A
= 85°C
0.4
T
A
= 85°C
0.2
T
A
= 150°C
0.2
0
T
A
= 150°C
0
1
10
100
1,000
10,000
-I
C
，集电极电流（毫安）
图。 5典型的基射极导通电压
与集电极电流
0.1
1
1,000 10,000
10
100
-I
C
，集电极电流（毫安）
图。 6典型的基射极饱和电压
与集电极电流
1,000
F = 1MHz的
电容（pF）
100
C
IBO
10
C
敖包
1
0.1
1
10
100
V
R
，反向电压（V）的
图。 7典型的电容特性
DSS5140V
文件编号： DS31658修订版3 - 2
3 5
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2009年3月
Diodes公司
