DS3232M
± 5ppm的，我
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实时时钟与SRAM
从地址字节， R / W = 1 ，读取数据字节
用NACK指示传输的结束，并
产生一个停止条件。然而，由于要求还
荷兰国际集团的主跟踪的内存地址
计数器是不切实际的，使用的方法为manipulat-
荷兰国际集团的地址计数器的读取。
操纵地址计数器的内容如下：
A
伪写入周期可以用来强制地址
计数器到一特定值。要做到这一点中，主机
器产生一个起始条件，写从
地址字节（R / W = 0 ），写入存储器地址
哪里需要读，产生重复启动
条件，写从机地址字节（ R / W = 1 ） ，
读出与ACK或NACK （如适用）和数据
产生一个停止条件。看
图6
对于一个读
例如，使用重复的起始条件
指定起始存储位置。
读取多个字节从从：
读
操作可用于读取具有多个字节
单次传输。当从机读取的字节，
主干脆方应答数据字节，如果它希望
终止交易前仔细阅读另一个字节。
在主机读取最后一个字节后，发送NACK
指示传输的结束，然后将其生成
一个停止条件。
该
INT / SQW
输出为开漏输出，需要一个外部
最终上拉电阻来实现逻辑高电平输出。上拉
王上和10MI之间的电阻值均为典型值。
该
RST
输出也是开漏，但具备
内部50kI上拉电阻（R
PU
）到V
CC
。外
上拉电阻不应添加。
SDA是漏极开路输出，需要一个外部
上拉电阻来实现逻辑高电平。
采用漏极开路输出
SDA和SCL上拉电阻
因为该设备不使用时钟周期的拉伸，
无论是使用漏极开路输出上拉的主
电阻或CMOS输出驱动器（推挽）可以用来
对于SCL 。
该器件包含Maxim的冗余电池充电
保护电路，以防止外部的任何充电
电池。
电池充电保护
订购信息
部分
DS3232MZ+
温度范围
-40°C至+ 85°C
PIN- PACKAGE
8 SO
+表示
一个铅（Pb ） - 免费/符合RoHS标准的封装。
应用信息
使用DS3232M时达到最好的效果，
去耦V
CC
和/或V的
BAT
电源与
0.1FF和/或1.0FF电容器。使用一个高品质，
陶瓷，表面贴装电容如果可能的话。 Surface-
安装组件减少引线电感，这
可以提高性能，和陶瓷电容器趋向于
有足够的去耦高频响应
应用程序。
如果电池工作期间的通信是不
需要，在V
BAT
去耦电容器可以省略。
电源去耦
包装信息
如需最近的封装外形信息和焊盘布局
（足迹） ，去
www.maxim-ic.com/packages 。
注意，以
“ + ” ， “ ＃”或“ - ”在包装代码表示RoHS指令的状态而已。
封装图中可能包含不同的尾缀字符，但
该图只与封装有关，与RoHS状态。
包
TYPE
8 SO
包
CODE
S8MK+1
概要
号
21-0041
土地
图案No.
90-0096
½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½
Maxim Integrated Products版权所有
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