DPA422-426
最大占空比，直流
最大
被设定在预设最高
75 ％值（典型值） 。但是，通过连接LINE- SENSE
通过与适当的值的电阻器的直流输入总线
最大占空比可降低75％至
33％ （典型值） ，如图7 ，当输入线电压
增加（见线路前馈DC
最大
还原） 。
最小占空比和周期跳绳
为了保持电源的输出调节，脉冲宽度
调制器减少了占空比随着负载在电源
产量下降。这种减少的占空比正比于
目前，由于FL流入控制引脚。作为控制
引脚电流增大，占空比线性降低至一
最小值特定网络版的最小占空比， DC
民
。后
到达DC
民
如果控制引脚电流为进一步提高
约2毫安，脉冲宽度调制器将强制
从DC占空比
民
到零以离散的步骤（参照图
4）。此功能使电源能在一个周期操作
跳跃模式，当负载消耗的比功率少
DPA-Switch的提供在最小占空比， DC
民
。没有
是需要正常的过渡附加控制
操作和循环跳跃。随着负载的增加或
减小时，电源之间自动切换
正常的周期跳跃模式是必要的。
可避免循环跳跃，如果需要的话，通过连接
在电源输出，使得占空比最小负载
周期保持在比直流高
民
在任何时候。
误差放大器器
分路调节器还可以执行一个错误的功能
扩增fi er在原边反馈的应用。分流
调整器的电压由一个具有温度
补偿的带隙基准。误差放大器器的增益
由控制脚的动态阻抗设置。该
控制引脚的外部电路信号钳位到V
C
电压
的水平。超出供电电流的控制引脚电流
由并联稳压器和至R佛罗里达州流入的分离
E
作为
电压误差信号。
芯片与外部可编程限流
在逐周期峰值漏极电流限制电路以
MOSFET的导通电阻作为电流采样电阻。电流
限比较器的输出MOSFET导通状态下的漏
源极电压，V
DS （ ON）
与阈值电压。在本届
LIMIT ，V
DS （ ON）
超过阈值电压和MOSFET是
关闭，直到下一个时钟周期的开始。电流限制
比较器的阈值电压被温度补偿，以
最小化由于温度的电流限制的变化
在研发相关的变化
DS （ ON）
输出MOSFET。默认
DPA-Switch的电流限制在内部预先设定。然而，在一个
电阻器之间连接外部流限引脚
和源极引脚的电流限制可以被编程
外部之间的25 ％，默认的100 ％的较低水平
电流限制。请参照图中的典型
对的选择性能特性部分
电阻值。通过设定电流限制低，较大的DPA-Switch
超出所需的功率可以被用来取
利用较低的R
DS （ ON）
对于高英法fi效率/小热
下沉的要求。与第二电阻器，连接
之间的外部流限引脚和DC输入
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修订版S 12/07
公交车，限流减少随电压升高，
让真正的功率限制不受电压变化影响操作
在反激式CON组fi guration实施。
前沿消隐电路，抑制电流限制
比较器，用于输出MOSFET后很短的时间被接通
上。前沿消隐时间已设定，这样，如果一个
电源设计不当，电流尖峰引起的
初级侧电容和二次侧整流器的反向器
恢复时间应该不会导致提前终止的
开关脉冲。
电流限制后，前沿消隐时间为
在如图31所示。为避免触发在所述电流限制
正常运行时，漏极电流的波形应该留在
所示的信封。
输入欠压检测（ UV）
上电时，UV保持DPA -关闭，直到输入线
电压达到欠压阈值上限。在电源
时，UV保持DPA -Switch的，直到输入电压降至
低于欠压阈值下限。单个电阻器
从线电压检测引脚的直流输入总线连接套
紫外线上限和下限。为了避免误触发
噪音，滞后实施这台紫外线下
阈值通常是在紫外上阈值的94％。如果UV
操作过程中达到较低的阈值，而不功率
供应失去调节和条件停留时间超过
10
μs
（典型值） ，该装置将关闭并保持关闭，直到UV
阈值上限已再次达到。然后，软启动会
接下来的时间控制引脚电压达到5.8.V.启动如果
电源达到紫外线下才失去监管
阈值时，设备将进入自动重启。在每个端
自动重启动循环（ S7 ） ， UV比较有效。如果UV
上阈值不被超过，则MOSFET将被禁用
在下一个周期中（参见图5） 。 UV特性可
残疾人OV特性无关。
线路过压关断（ OV ）
用于紫外线的电阻也设置过压
门槛，一旦突破，将迫使DPA -Switch的
输出到一个开关周期内关断状态。的比率
OV和UV阈值预设为2.7。可以看出，在
图7.当MOSFET关断时，输入电压浪涌
能力增大到MOSFET的额定电压
（ 220伏）时，由于不存在重新佛罗里达州反射电压和漏电流的
尖峰漏。设置在少量迟滞
OV阈值，以防止噪声引发。 OV功能
可以禁用独立于UV特性的如图
图13 。
输入电压前馈与DC
最大
减少
使用的相同的电阻为UV和OV还实现线
电压前馈，最大限度地减少输出线电压纹波和
降低了电源输出灵敏度线瞬变。这
前馈操作示于图4的不同
的I值
L
。请注意，对于同一控制引脚的电流，
较高的线电压导致占空比更小。作为一个
加特征，所述最大占空比的直流
最大
也被减小
从75％ （典型值）的电压比UV略高
门槛至33％ （典型值）的OV阈值
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