对产品线
Diodes公司
DMN2300UFB
20V N沟道增强型MOSFET
产品概述
V
（ BR ） DSS
R
DS （ ON）
175mΩ @ V
GS
= 4.5V
240mΩ @ V
GS
= 2.5V
360mΩ @ V
GS
= 1.8V
I
D
最大
T
A
= 25°C
（注4 ）
1.30A
1.11A
0.91A
特点和优点
13倍，比SOT23小 - 只是0.6毫米足迹
0.5毫米资料 - 适合低调的应用
导通电阻<200mΩ @ V
GS
= 4.5V
低栅极阈值电压
开关速度快
“无铅” ，符合RoHS （注1 ）
卤素和无锑。 "Green"设备（注2 ）
ESD保护2kV的门
符合AEC -Q101标准的高可靠性
2
20V
说明与应用
这种MOSFET的设计，以减少通态电阻
(R
DS （ ON）
），并同时保持出色的开关性能，使其
适用于高效率的电源管理应用。
负荷开关
机械数据
案例： DFN1006-3
外壳材料：模压塑料， “绿色”模塑料。
UL可燃性分类额定值94V- 0
湿度灵敏性：每J- STD- 020 1级
码头：完成 - 镍钯金比铜引线框架。可焊
每MIL -STD- 202方法208
重量：0.001克数（近似值）
漏
DFN1006-3
体
二极管
S
D
G
门
ESD保护2kV的
底部视图
顶视图
内部原理
门
保护
二极管
来源
等效电路
订购信息
（注3）
产品型号
DMN2300UFB-7
DMN2300UFB-7B
注意事项：
记号
NI
NI
卷尺寸（英寸）
7
7
胶带宽度（mm）
8
8
QUANTITY每卷
3,000
10,000
1.没有故意添加铅
2.二极管公司的"Green"政策可以在我们的网站http://www.diodes.com找到。
3.对于包装的详细信息，请访问我们的网站http://www.diodes.com 。
标识信息
DMN2300UFB-7
DMN2300UFB-7B
NI
顶视图
点表示
漏极侧
NI
顶视图
律师表示门
和源端
1 6
www.diodes.com
NI =产品型号标识代码
DMN2300UFB
文件编号： DS35235修订版1 - 2
2011年5月
Diodes公司
