对产品线

Diodes公司

DMN2028USS

20V N沟道增强型MOSFET

超前信息

产品概述

I

D

最大

V

（ BR ） DSS

R

DS （ ON）

最大

T

A

= 25°C

（注3）

20MΩ @ V

GS

= 4.5V

20V

28mΩ @ V

GS

= 2.5V

8.3A

9.8A

特点和优点

低导通电阻

低输入电容

开关速度快

低输出泄漏

ESD保护可达2kV的

无铅/符合RoHS （注1 ）

卤素和无锑。 "Green"设备（注1 ）

符合AEC -Q101标准的高可靠性

说明与应用

这种MOSFET的设计，以减少通态电阻

(R

DS （ ON）

），并同时保持出色的开关性能，使其

适用于高效率的电源管理应用。

机械数据

案例： SO- 8

外壳材料：模压塑料， “绿色”模塑料。

UL可燃性分类额定值94V- 0 （注1 ）

湿度灵敏性：每J- STD- 020 1级

终端连接：下面请参阅图

码头：完成 - 雾锡比退火铜引线框架。

每MIL -STD- 202方法208

重量： 0.074克（近似值）

电池充电

电源管理功能

DC- DC转换器

便携式电源适配器

SO-8

S

S

S

G

D

D

D

D

顶视图

D

G

S

等效电路

ESD保护2kV的

顶视图

订购信息

（注1 ）

产品

DMN2028USS-13

注意事项：

记号

N2028US

卷尺寸（英寸）

13

胶带宽度（mm）

12

QUANTITY每卷

2,500

1.没有故意添加铅。二极管公司的"Green"政策及包装的详细信息可以在我们的网站上找到http://www.diodes.com

标识信息

N2028US

YY WW

=制造商的标志

N2028US =产品型号标识代码

YYWW =日期代码标

YY =年（例如： 10 = 2010）

WW =周（ 01-53 ）

DMN2028USS

文件编号： DS32075修订版3 - 2

1第8

www.diodes.com

2010年10月

Diodes公司