压敏电阻产品
航天和军工
高可靠性压敏电阻
中子效应
第二个MOV ，齐纳比较了回应中子
能量密度。所选择的设备都是平等的面积。
图2示出了MOV和所述齐纳二极管的钳位电压响应
以中子辐照，以高达10
15
牛顿/厘米
2
。很明显，在CON-
对比度来的大的变化的齐纳时，MOV是不变的。在higher-
电流，其中的MOV的钳位电压再次保持不变，则
齐纳器件多达36％的钳位电压的增加。
300
1.5K 200 INITIAL
200压敏电阻V130A2
初始10
15
T
100
80
伏
60
50
40
30
20
BREAKDO
WN
电压
饱和
当前
I
前锋
BIAS
V
在还原
故障STRESSHOLD
径向
次
BREAKDO
WN
1.5K 200
在10
12
反向
BIAS
图3： V- I特性的PN结
1.5K 200
在10
13
1.5K 200
在10
14
1.5K 200
在10
15
10
10
10
10
8
10
6
10
7
安培
10
5
10
4
10
3
在低的反向电压，该装置会进行非常小的电流（在
饱和电流）。在较高的反向电压VBO （击穿
电压）时，电流急剧增大的电子被任一拉
由电场（齐纳效应）或敲除由其他电子
（崩塌） 。电压的进一步增加会导致设备展示
负电阻特性，导致二次击穿。
这通过形成热点，不可逆转表现
发生损坏。根据中子这种故障的阈值降低irradia-
重刑齐纳二极管，但不适用于氧化锌压敏电阻。
图2： V-I特性响应中子
IRRADIA
重刑MOV和稳压二极管
器件
的VI特性逆时针旋转硅观察
设备在高中子辐照水平;换句话说，增加
泄漏在低电流水平和增加钳位电压在较高
目前的水平。
固体和空心圆对于给定的能量密度表示的高和低
击穿电流对测试设备的样品。注意，有一
在与当前（或能量）的处理能力显着下降
增加的中子注量。
硅半导体结的故障门槛进一步降低
当施加高或快速增加的电流。结发展
热点，它放大，直到短的，如果当前不局限于发生或
迅速取出。
的PN结的特性的电压电流关系示
在网络连接gure 3 。
伽玛辐射
辐射损伤研究，在类型V130LA2压敏电阻进行。
之前和之后的发射光谱和VI特性收集
10照射
6
拉德有限公司
60
γ射线。
既显示没有变化，在实验误差内，照射后。
152
W W瓦特升I T T E升F美即C 0米
