DG417B ， DG418B ， DG419B
Vishay Siliconix公司
原理图
典型CHANNEL
V+
S
V
L
V
-
V
IN
水平
SHIFT /
DRIVE
V+
GND
D
V
-
图1 。
特定网络阳离子
a
测试条件
除非另有说明
V+ = 15 V, V- = - 15 V
V
L
= 5 V, V
IN
= 2.4 V, 0.8 V
f
后缀
后缀
- 55 ° C至125°C - 40 ° C至85°C
温度。
b
满
房间
满
房间
满
房间
满
房间
满
房间
满
房间
满
满
满
R
L
= 300
Ω,
C
L
= 35 pF的
V
S
=
±
10 V ，见开关
时间测试电路
DG417B
DG418B
DG417B
DG418B
房间
满
房间
满
房间
满
房间
房间
房间
房间
典型值。
c
分钟。
d
- 15
15
马克斯。
d
15
25
34
0.25
20
0.25
20
0.75
60
0.4
40
0.75
60
0.5
0.5
89
106
80
88
87
96
3
3
pC
分钟。
d
- 15
马克斯。
d
15
25
29
0.25
5
0.25
5
0.75
12
0.4
10
0.75
12
0.5
0.5
89
99
80
86
87
93
单位
V
Ω
参数
模拟开关
模拟信号范围
e
漏源
导通电阻
符号
V
类似物
R
DS （ ON）
I
S（ OFF）
I
S
= - 10毫安，V
D
=
±
12.5 V
V+ = 13.5 V, V- = - 13.5 V
-
0.1
-
0.1
-
0.1
-
0.4
-
0.4
关机漏电流
I
D（关闭）
V+ = 16.5, V- = - 16.5 V
DG417B
V
D
=
±
15.5 V, V
S
=
±
15.5 V DG418B
DG419B
DG417B
DG418B
DG419B
通道泄漏电流
数字控制
输入电流，V
IN
低
输入电流，V
IN
高
动态特性
开启时间
打开-O FF时间
转换时间
突破前先
延时
电荷注入
关断隔离
e
通道到通道
相声
e
I
D（上）
V+ = 16.5 V, V- = - 16.5 V
V
S
= V
D
=
±
15.5 V
- 0.25
- 20
- 0.25
- 20
- 0.75
- 60
- 0.4
- 40
- 0.75
- 60
- 0.5
- 0.5
- 0.25
-5
- 0.25
-5
- 0.75
- 12
- 0.4
- 10
- 0.75
- 12
- 0.5
- 0.5
nA
I
IL
I
IH
t
ON
t
关闭
t
TRANS
t
D
Q
OIRR
X
TALK
A
62
53
60
16
38
- 82
R
L
= 300
Ω,
C
L
= 35 pF的
DG419B
V
S1
=
±
10 V, V
S2
=
±
10 V
R
L
= 300
Ω,
C
L
= 35 pF的
DG419B
V
S1
= V
S2
=
±
10 V
C
L
- 10 nF的
V
根
= 0 V ，R
根
= 0
Ω
R
L
= 50
Ω,
C
L
= 5 pF的，
F = 1 MHz的
DG419B
ns
dB
- 88
文档编号： 72107
S09-1261 -REV 。 D， 13 09年7月
www.vishay.com
3
