DG411L ， DG412L ， DG413L
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
a
（单电源3V）
测试条件
除非另有说明
V+ = 3 V, V- = 0 V
V
L
= 3 V, V
IN
= 0.4 V
f
后缀限制后缀限制
- 55 ° C至125°C - 40 ° C至85°C
温度。
b
满
V+ = 2.7 V, V- = 0 V
I
S
= 5毫安， V
D
= 0.5, 2.2 V
V+ = 3.3 , V- = 0 V
V
D
= 1, 2 V, V
S
= 2, 1 V
V+ = 3.3 V, V- = 0 V
V
S
= V
D
= 1, 2 V
V
IN
被测= 0.4 V
V
IN
根据测试= 2.4 V
房间
满
房间
满
房间
满
房间
满
满
满
房间
满
房间
满
房间
房间
房间
R
L
= 50
,
C
L
= 5 PF， F = 1兆赫
房间
房间
F = 1 MHz的
房间
房间
0.005
0.005
50
30
6
1
68
85
6
6
20
pF
dB
pC
65
-1
- 15
-1
- 15
-1
- 15
- 1.5
- 1.5
典型值。
c
分钟。
d
0
马克斯。
d
3
80
115
1
15
1
15
1
15
1.5
1.5
85
150
60
100
-1
- 10
-1
- 10
-1
- 10
-1
-1
分钟。
d
0
马克斯。
d
3
80
100
1
10
1
10
1
10
1
1
85
110
60
85
ns
nA
单位
V
参数
模拟开关
模拟信号范围
e
漏源
导通电阻
关闭
漏电流
g
通道上
漏电流
g
数字控制
输入电流，V
IN
低
输入电流，V
IN
高
动态特性
开启时间
打开-O FF时间
先开后合式时间
延迟
电荷注入
e
关断隔离
e
符号
V
类似物
R
DS （ ON）
I
S（ OFF）
I
D（关闭）
I
D（上）
I
IL
I
IH
t
ON
t
关闭
t
D
Q
OIRR
X
TALK
C
S（ OFF）
C
D（关闭）
e
A
R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的
V
S
= 1.5 V，见图2
DG413L只，V
S
= 1.5 V
R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的
V
g
= 0 V ，R
g
= 0
,
C
L
- 10 nF的
通道到通道
相声
e
源关断电容
e
流掉
电容
e
通道导通电容
C
D（上）
注意事项：
一。请参阅过程的期权流程图。
B 。房间= 25 ° C，完全=由操作温度决定的后缀。
。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值，用于该数据片。
。通过设计保证，不受生产测试。
F。 V
IN
=输入电压来执行适当的功能。
克。泄漏的参数由最坏的情况下测试条件保证不受测试。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
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6
文档编号： 71397
S11-0179 -REV 。男， 07 -FEB- 11
