DDTD （ XXXX ）C

NPN预偏压500毫安表面贴装晶体管

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特点

外延平面片建设

可提供互补PNP类型（ DDTB ）

内置在偏置电阻器R1，R2

铅，卤素及锑，符合RoHS标准

"Green"设备（注2和3）

产品型号

DDTD113EC

DDTD123EC

DDTD143EC

DDTD114EC

DDTD122JC

DDTD113ZC

DDTD123YC

DDTD133HC

DDTD123TC

DDTD143TC

DDTD114TC

DDTD114GC

R1 （ NOM ）

1K

2.2K

4.7K

10K

0.22K

1K

2.2K

3.3K

2.2K

4.7K

10K

0

R2 （ NOM ）

1K

2.2K

4.7K

10K

4.7K

10K

10K

10K

开放

开放

开放

10K

记号

N60

N61

N62

N63

N64

N65

N66

N67

N69

N70

N71

N72

机械数据

案例： SOT -23

外壳材料：模压塑料， “绿色”模塑料，

注3： UL可燃性分类额定值94V- 0

湿度灵敏性：每J- STD- 020D 1级

终端连接：见图

终端：雾锡完成了退火合金引线框架42

（无铅电镀），每MIL -STD- 202方法208

标识信息：请参阅表和第3页

订购信息：见第3页

重量： 0.008克（近似值）

OUT

3

C

B

R1

R2

E

1

IN

顶视图

2

GND(0)

封装引脚配置

最大额定值

电源电压， （3） （2）

输入的电压， （1） （2）

@T

A

= 25 ° C除非另有说明

符号

V

CC

DDTD113EC

DDTD123EC

DDTD143EC

DDTD114EC

DDTD122JC

DDTD113ZC

DDTD123YC

DDTD133HC

DDTD123TC

DDTD143TC

DDTD114TC

DDTD114GC

所有

价值

50

-10至+10

-10至+12

-10至+30

-10 + 40

-5到+5

-5到+10

-5到+12

-6至+20

5

500

单位

V

特征

V

IN

V

输入的电压， （2）至（1）

V

EBO （MAX）中

I

C

V

mA

输出电流

热特性

特征

功耗

热阻，结到环境空气（注1 ）

工作和存储温度范围

注意事项：

1.

2.

3.

符号

P

D

R

θ

JA

T

J

, T

英镑

价值

200

625

-55到+150

单位

mW

° C / W

°C

安装在FR4印刷电路板用在http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf推荐的焊盘布局。

没有故意添加铅。卤素和无锑。

产品与数据代码V9制造（ 33周， 2008年）和较新的构建与绿色塑封料。前日期产品制造

代码V9内置有非绿色塑封料，可能含有卤素或锑

2

O

3

阻燃剂。

DDTD （ XXXX ）C

文件编号： DS30384牧师10 - 2

1 4

www.diodes.com

2009年1月

Diodes公司