电气特性
特征
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
民
50
50
5
300
140
65
30
30
56
68
82
-30
典型值
250
最大
0.5
580
260
130
58
0.3
+30
单位
测试条件
V
I
C
= 50μA
V
I
C
= 1毫安
I
E
= 720μA ， DDTC114GKA
I
E
= 330μA ， DDTC124GKA
V
I
E
= 160μA ， DDTC144GKA
I
E
= 72μA ， DDTC115GKA
μA
V
CB
= 50V
μA
V
%
V
EB
= 4V
I
C
= 10毫安，我
B
- 0.5毫安
I
C
= 5毫安，V
CE
= 5V
新产品
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极 - 发射极饱和电压
直流电流传输比
泄放电阻（R
2
）公差
增益带宽积*
*晶体管 - 仅供参考
DDTC114GKA
DDTC124GKA
DDTC144GKA
DDTC115GKA
DDTC114GKA
DDTC124GKA
DDTC144GKA
DDTC115GKA
I
EBO
V
CE （ SAT ）
h
FE
ΔR
2
f
T
V
CE
= 10V ，我
E
= -5mA ，
兆赫
F = 100MHz的
典型曲线 - DDTC114GKA
V
CE （ SAT ）
最大集电极电压（ V）
250
P
D
，功耗（毫瓦）
1
I
C
/I
B
= 10
200
0.1
75
°
C
-25
°
C
25
°
C
150
100
0.01
50
0
-50
0
50
100
T
A
，环境温度（
°
C)
图。 1降额曲线
150
0.001
0
20
30
40
10
I
C
，集电极电流（毫安）
图。 2 V
CE （ SAT ）
与我
C
I
E
= 0毫安
50
1,000
h
FE
，直流电流增益（标准化）
V
CE
= 10
5
4
C
OB
，电容（pF ）
75
°
C
3
100
2
1
10
1
0
10
I
C
，集电极电流（毫安）
图。 3直流电流增益
100
0
DS30340版本6 - 2
2 3
www.diodes.com
10
15
30
25
5
20
V
R
，反向偏置电压（V）的
图。 4输出电容
DDTC （ R2 -ONLY系列） KA
Diodes公司
