电气特性
特征
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
民
-50
-50
-5
典型值
最大
-0.5
-0.5
单位
V
V
V
μA
μA
I
C
= -50μA
I
C
= -1mA
I
E
= -50μA
V
CB
= -50V
V
EB
= -4V
I
C/
I
B
= -10mA / -1mA
I
C/
I
B
= -5mA / -0.5mA
I
C/
I
B
= -2.5mA / - 。 25毫安
I
C/
I
B
= -1mA / - 。 1毫安
I
C/
I
B
= -5mA / -0.5mA
I
C/
I
B
= -2.5mA / - 。 25毫安
I
C/
I
B
= -1mA / -0.1mA
I
C/
I
B
= -.5mA / - 。 05毫安
I
C
= -1mA ，V
CE
= -5V
V
CE
= -10V ，我
E
= 5毫安，
F = 100MHz的
DDTA113TCA
DDTA123TCA
DDTA143TCA
DDTA114TCA
DDTA124TCA
DDTA144TCA
DDTA115TCA
DDTA125TCA
测试条件
新产品
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极 - 发射极饱和电压
V
CE （ SAT ）
-0.3
V
直流电流传输比
输入电阻（R
1
）公差
增益带宽积*
*晶体管 - 仅供参考
h
FE
ΔR
1
f
T
100
-30
250
250
600
+30
%
兆赫
DS30335版本6 - 2
2 4
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DDTA （R1 -ONLY系列） CA
Diodes公司
