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双芯片MicroCapacitance ( MC )的SIDACtor设备
双芯片MicroCapacitance (MC)的
的SIDACtor
设备
1
(T)
3
(R)
2
(G)
这两个芯片改装TO-220 MC
的SIDACtor
固态器件保护电信
设备在引用Tip和Ring接地,但不要求应用程序
平衡保护。
的SIDACtor
装置被用来使能设备,以满足不同的监管要求
包括GR 1089 , ITU K.20 , K.21和K.45 , IEC 60950 , UL 60950和TIA- 968 -A
(前身为FCC第68部分) 。
电气参数: A级
部分
号码*
P0302AA MC
P0602AA MC
V
DRM
6
25
V
S
25
40
V
DRM
12
50
V
S
50
80
V
T
4
4
I
DRM
μAMPS
5
5
I
S
毫安
800
800
I
T
安培
2.2
2.2
I
H
毫安
50
50
C
O
pF
45
25
针脚1-2 , 3-2
引脚1-3
电气参数:C级
部分
号码*
P0602AC MC
P1402AC MC
P1602AC MC
P2202AC MC
P2702AC MC
P3002AC MC
P3602AC MC
P4202AC MC
P4802AC MC
P6002AC MC
V
DRM
25
58
65
90
120
140
170
190
220
275
V
S
40
77
95
130
160
180
220
250
300
350
V
DRM
50
116
130
180
240
280
340
380
440
550
V
S
80
154
190
260
320
360
440
500
600
700
V
T
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
I
DRM
μAMPS
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
I
S
毫安
800
800
800
800
800
800
800
800
800
800
I
T
安培
2.2
2.2
2.2
2.2
2.2
2.2
2.2
2.2
2.2
2.2
I
H
毫安
50
150
150
150
150
150
150
150
150
150
C
O
pF
60
60
60
50
50
50
40
40
40
40
针脚1-2 , 3-2
引脚1-3
*对于浪涌额定值,请参阅下表。
一般注意事项:
所有测量均在25℃的环境温度下进行。我
PP
适用于-40°C至+ 85 °C温度范围。
I
PP
是重复浪涌额定值,并且保证了产品的使用寿命。
上市
的SIDACtor
器件是双向的。所有电气参数和浪涌额定值适用于正向和反向极性。
V
DRM
的测量是在我
DRM 。
V
S
的测量是在100伏/微秒。
特殊电压(V
S
和V
DRM
)和保持电流(I
H
)规定,可根据要求提供。
关态电容(C
O
)在1 MHz的带2 V偏压测量引脚1-2和3-2之间。
浪涌额定值
I
PP
2×10微秒
安培
150
500
I
PP
8x20微秒
安培
150
400
I
PP
10x160微秒
安培
90
200
I
PP
10x560微秒
安培
50
150
I
PP
10x1000微秒
安培
45
100
I
TSM
60赫兹
安培
20
50
的di / dt
安/微秒
500
500
系列
A
C
http://www.littelfuse.com
+1 972-580-7777
2 - 32
的SIDACtor
2004 Littelfuse公司
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