CZT31C NPN
CZT32C PNP
表面贴装
补充
硅功率晶体管
W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米
描述：
中央半导体CZT31C和
CZT32C类型表面贴装环氧模
由生产互补硅晶体管
外延基地的过程中，专为表面贴装
功率放大器的应用可达3.0安培。
标记：全部型号
SOT- 223案例
最大额定值：
(TA=25°C)
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
峰值集电极电流
连续基极电流
功耗
功率耗散（ TC = 25°C ）
工作和存储结温
热阻
热阻
符号
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICM
IB
PD
PD
TJ ， TSTG
Θ
JA
Θ
JC
100
100
5.0
3.0
6.0
1.0
2.0
10
-65到+150
62.5
12.5
单位
V
V
V
A
A
A
W
W
°C
° C / W
° C / W
电气特性：
（ TA = 25° C除非另有说明）
符号
冰
ICEO
IEBO
BVCEO
VCE （ SAT ）
VBE （ON）的
的hFE
的hFE
fT
测试条件
VCE=100V
VCE=60V
VEB=5.0V
IC=30mA
IC = 3.0A ， IB = 375毫安
VCE = 4.0V ， IC = 3.0A
VCE = 4.0V ， IC = 1.0A
VCE = 4.0V ， IC = 3.0A
VCE = 10V ， IC = 500毫安中，f = 1.0MHz的
25
10
3.0
100
兆赫
100
1.2
1.8
民
最大
200
300
1.0
单位
A
A
mA
V
V
V
R4 （2010年1月）
