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CYNSE70032
周期
1
CLK2X
PHS_L
CMDV
CMD [1：0 ]
CMD [8： 2]
读
A
B
z
z
周期
2
周期
3
周期
4
周期
5
周期
6
DQ
OE_L
WE_L
CE_L
ALE_L
萨德尔
0
1
1
1
z
地址
0
0
地址
1
1
z
确认
SSV
SSF
z
0
0
0
1
z
0
DQ驱动CYNSE70032 。
TLSZ = 00 ， HLAT = 000 ， LRAM = 1 ， LDEV = 1 。
图15-1 。 SRAM读取访问权限（ TLSZ = 00 ， HLAT = 000 ， LRAM = 1 ， LDEV = 1 ）
15.4
SRAM读取一个表最多8个器件
下面，说明SRAM的读操作通过使用以下参数多达八个设备表完成的：
TLSZ = 01 。
图15-2
图表8设备的块。下面假设SRAM的访问取得成功
通过CYNSE70032设备号0 。
图15-3
和
图15-4
显示时序图设备号0和设备
号7。
周期1A ：
主机专用集成电路适用于CMD的读指令[1：0 ]用CMDV = 1的DQ总线提供的地址，以
DQ [二十点19 ]设置为10，以选择SRAM地址。主机ASIC选择设备而ID [ 4 ： 0 ]匹配DQ [ 25:21 ]
线。在这个周期的主ASIC还提供SADR [ 21时19分]在CMD [8： 6] 。
循环1B ：
主机ASIC继续申请读指令对CMD [ 1 ： 0 ]使用CMDV = 1， DQ总线供应
地址，与DQ [ 20时19 ]设置为10 ，选择SRAM地址。
循环2 ：
主机ASIC浮DQ [ 67 ： 0 ]为三态状态。
循环3 ：
主机专用集成电路保持的DQ [67 ：0]中的一个三态条件。
周期4 ：
所选的装置开始驱动的DQ [67 ：0] 。
周期5 ：
所选设备继续驱动的DQ [67 ：0] ，并驱动的ACK由高Z为低。
周期6 ：
所选择的设备驱动器上的SADR读地址[ 21：0] 。它还可以驱动ACK高， CE_L低， WE_L高，
ALE_L低。
周期7 ：
选定的设备驱动在三态条件CE_L ， ALE_L ， WE_L和DQ总线。这将继续推动ACK低。
在周期7的端部，所选择的设备漂浮的ACK中的三态状态，以及一个新的命令就可以开始。
文件编号： 38-02042牧师* E
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